JPS6113956U - 集積回路に組込まれるツエナ−ダイオ−ド - Google Patents

集積回路に組込まれるツエナ−ダイオ−ド

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Publication number
JPS6113956U
JPS6113956U JP9903584U JP9903584U JPS6113956U JP S6113956 U JPS6113956 U JP S6113956U JP 9903584 U JP9903584 U JP 9903584U JP 9903584 U JP9903584 U JP 9903584U JP S6113956 U JPS6113956 U JP S6113956U
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JP
Japan
Prior art keywords
region
conductivity type
integrated circuit
zener diode
diode incorporated
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Pending
Application number
JP9903584U
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English (en)
Inventor
桂伸 野村
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図イおよび口は本考扱によるツエナーダイオードを
説明する断面図および平面図であり、第１図イは第１図
口のＩ−Ｉ’線断面図である。 第２図は従来のツエナーダイオードを説明図する断面図
である。 主な図番の説明、１はＰ型半導体基板、６はアノード領
域、７はアノードコンタクト領域、８は力９−ド領域、
９．１０は電極である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 導電型半導体基板上に形成した逆導電型のエビタキシャ
    ル層と、一導電型の分離領域により前記エビタキシャル
    層を島状に分離して形成した逆導電型の島領域と、該島
    領域の表面に設けられたー導電型で高濃度の第１領域と
    、該第１領域の周辺に重畳して前記第１領域全囲む様に
    形成した一導電型のコンタクト領域と、前記島領域の表
    面に少なくとも前記第１領域を覆う様に形成した逆導電
    型で高濃度の第２領域とを具備し、前記第１領域と第２
    領域間のＰＮ接合によるツエナー特性を前記第１領域と
    第２領域夫々の不純物濃度のみで決定することを特徴と
    する集積回路に組込まれるツエナーダイオード。
JP9903584U 1984-06-29 1984-06-29 集積回路に組込まれるツエナ−ダイオ−ド Pending JPS6113956U (ja)

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JPS6113956U true JPS6113956U (ja) 1986-01-27

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ID=30658551

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JP9903584U Pending JPS6113956U (ja) 1984-06-29 1984-06-29 集積回路に組込まれるツエナ−ダイオ−ド

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0424050U (ja) * 1990-06-18 1992-02-27

Cited By (1)

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