JPS6078147U - コンデンサ - Google Patents
コンデンサInfo
- Publication number
- JPS6078147U JPS6078147U JP17043783U JP17043783U JPS6078147U JP S6078147 U JPS6078147 U JP S6078147U JP 17043783 U JP17043783 U JP 17043783U JP 17043783 U JP17043783 U JP 17043783U JP S6078147 U JPS6078147 U JP S6078147U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- region
- diffusion region
- diffusion
- epitaxial layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は従来のコンデンサを説明する断面図、第２図お
よび第３図は本考案のコンデンサを説明する断面図およ
び上面図である。 主な図番の説明、１１はＰ型の半導体基板、１２はＮ型
のエピタキシャル層、１４は島領域、１６はＰ＋型の第
１拡散領域、１７はＮ＋型の第２拡散領域である。
よび第３図は本考案のコンデンサを説明する断面図およ
び上面図である。 主な図番の説明、１１はＰ型の半導体基板、１２はＮ型
のエピタキシャル層、１４は島領域、１６はＰ＋型の第
１拡散領域、１７はＮ＋型の第２拡散領域である。
Claims (1)
- 一導電型の半導体基板と該基板上に設けた逆導電性のエ
ピタキシャル層と該エピタキシャル層をＰＮ分離した島
領域と該島領域に互いに隣接して基板状に形成した一導
電型の第１拡散領域と逆導電型の第２拡散領域とを備え
、前記第１拡散領域と第２拡散領域とで形成されるＰＮ
接合を逆バイアスして成るコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17043783U JPS6078147U (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17043783U JPS6078147U (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6078147U true JPS6078147U (ja) | 1985-05-31 |
Family
ID=30372078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17043783U Pending JPS6078147U (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6078147U (ja) |
-
1983
- 1983-11-02 JP JP17043783U patent/JPS6078147U/ja active Pending
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