JPS6066050U - メサ型半導体装置 - Google Patents

メサ型半導体装置

Info

Publication number
JPS6066050U
JPS6066050U JP12492984U JP12492984U JPS6066050U JP S6066050 U JPS6066050 U JP S6066050U JP 12492984 U JP12492984 U JP 12492984U JP 12492984 U JP12492984 U JP 12492984U JP S6066050 U JPS6066050 U JP S6066050U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mesa
mesa groove
junction
semiconductor device
type semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12492984U
Other languages
English (en)
Inventor
三輪　潔
Original Assignee
日本電気株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本電気株式会社 filed Critical 日本電気株式会社
Priority to JP12492984U priority Critical patent/JPS6066050U/ja
Publication of JPS6066050U publication Critical patent/JPS6066050U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のメサ型半導体装置に切断する前のＰＮ接
合の形成された半導体基板の断面図、第２図は本考案実
施例に係る断面図、第３図はエツチングマスク開口部の
巾とメサ溝の深さの関係を示す線図である。 図において、１は半導体基板、２は高濃度逆導電型層、
２′は分離された高濃度逆導電型層、３はＰＮ接合、４
は空間電荷層、５は主メサ溝、６は切断線、７は絶縁膜
、８は補助メサ溝を示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ＰＮ接合を有する半導体基板がメサ溝に沿って分離され
    てなるメサ型半導体装置において、前記分離は第１のメ
    サ溝が形成された領域で行なわれ、該第１のメサ溝は前
    記ＰＮ接合を切断する深さに設けられ、該第１のメサ溝
    に沿って該第１のメサ溝より浅くかつ前記ＰＮ接合を切
    断する深さの第２のメサ溝が設けられ、該第１のメサ溝
    と該第２のメサ溝とに狭まれた部分に前記ＰＮ接合が形
    成されており、前記第１および第２のメサ溝は前記半導
    体基板表面で連続していることを特徴とするメサ型半導
    体装置。
JP12492984U 1984-08-16 1984-08-16 メサ型半導体装置 Pending JPS6066050U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12492984U JPS6066050U (ja) 1984-08-16 1984-08-16 メサ型半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12492984U JPS6066050U (ja) 1984-08-16 1984-08-16 メサ型半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6066050U true JPS6066050U (ja) 1985-05-10

Family

ID=30284622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12492984U Pending JPS6066050U (ja) 1984-08-16 1984-08-16 メサ型半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6066050U (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5133361B1 (ja) * 1971-04-23 1976-09-18

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5133361B1 (ja) * 1971-04-23 1976-09-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6066050U (ja) メサ型半導体装置
JPS5936264U (ja) シヨツトキバリア半導体装置
JPS58106954U (ja) ダイオ−ド
JPS60125747U (ja) コンデンサ
JPS5860951U (ja) 半導体装置
JPS6113956U (ja) 集積回路に組込まれるツエナ−ダイオ−ド
JPS60153548U (ja) ラテラル型トランジスタ
JPS5981047U (ja) 半導体素子
JPS60144255U (ja) トランジスタ
JPS60153550U (ja) ラテラル型トランジスタ
JPS6078147U (ja) コンデンサ
JPS6139959U (ja) 半導体装置
JPS58106953U (ja) トランジスタ
JPS60166155U (ja) 接合型コンデンサ
JPS60125748U (ja) ラテラル型トランジスタ
JPS60160558U (ja) 基板型トランジスタ
JPS58124953U (ja) 半導体集積回路装置
JPS60153549U (ja) 半導体装置
JPS60137450U (ja) 半導体抵抗装置
JPS60137451U (ja) 半導体抵抗装置
JPS6022849U (ja) プレ−ナ型半導体装置
JPS60125749U (ja) 半導体スイツチング素子
JPS6194361U (ja)
JPS6030555U (ja) ダイオ−ド
JPS60166161U (ja) Ｇｔｏサイリスタ