JPS60160558U - 基板型トランジスタ - Google Patents

基板型トランジスタ

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Publication number
JPS60160558U
JPS60160558U JP5024184U JP5024184U JPS60160558U JP S60160558 U JPS60160558 U JP S60160558U JP 5024184 U JP5024184 U JP 5024184U JP 5024184 U JP5024184 U JP 5024184U JP S60160558 U JPS60160558 U JP S60160558U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
substrate
conductivity type
type transistor
epitaxial layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP5024184U
Other languages
English (en)
Inventor
田端 輝夫
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Publication date
Application filed by 三洋電機株式会社 filed Critical 三洋電機株式会社
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Publication of JPS60160558U publication Critical patent/JPS60160558U/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は従来の基板型トランジスタを説明する断面図、
第2図は本考案による基板型トランジスタを説明する断
面図である。 1.21・・・半導体基板、2.22・・・エピタキシ
ャル層、3,23・・・分離領域、4,25・・・島領
域(ベース領域)、24・・・イオン注入領域、26・
・・エミッタ領域。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型の半導体基板と、この基板上に積層された逆導
    電型のエピタキシャル層と、このエピタキシャル層を分
    離領域で分離して形成された島領域と、この島領域の表
    層部に形成された一導電型のエミッタ領域とを備え、前
    記基板がコレクタ領□  域、島領域がベース領域とし
    て働く基板型トランジスタにおいて、前記島領域の表層
    部にエピタキシャル層よりも高不純物濃度の逆導電型の
    イオン注入領域を設けたことを特徴とする基板型トラン
    ジスタ。
JP5024184U 1984-04-04 1984-04-04 基板型トランジスタ Pending JPS60160558U (ja)

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JP5024184U JPS60160558U (ja) 1984-04-04 1984-04-04 基板型トランジスタ

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JPS60160558U true JPS60160558U (ja) 1985-10-25

Family

ID=30568188

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JP5024184U Pending JPS60160558U (ja) 1984-04-04 1984-04-04 基板型トランジスタ

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5365675A (en) * 1976-11-24 1978-06-12 Nec Corp Semiconductor device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5365675A (en) * 1976-11-24 1978-06-12 Nec Corp Semiconductor device

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