JPS60149152U - 埋込み型ツエナ−ダイオ−ド - Google Patents

埋込み型ツエナ−ダイオ−ド

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JPS60149152U
JPS60149152U JP3722584U JP3722584U JPS60149152U JP S60149152 U JPS60149152 U JP S60149152U JP 3722584 U JP3722584 U JP 3722584U JP 3722584 U JP3722584 U JP 3722584U JP S60149152 U JPS60149152 U JP S60149152U
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JP
Japan
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diffusion region
zener diode
conductivity type
concentration impurity
base diffusion
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Application number
JP3722584U
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JPH0346507Y2 (ja
Inventor
祐一 瀬戸
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新日本無線株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の埋込み型ダイオードの断面斜視図、第２
図は従来の温度補償型定電圧回路の例を示す回路図、第
３図は省略して示した定電圧回路の回路図、第４図は本
発明による埋込み型ツェナーダイオードの断面斜視図、
第５図はその本発明による埋込み型ツェナーダイオード
の平面図、第６図は本発明による埋込み型ツェナーダイ
オードの等節回路を示す回路図、第７図は定電圧回路を
示す回路図である。 １・・・半導体基体（Ｎ＝）、２・・・ベース領域（Ｐ
”）、’　３・・・深い層（Ｐ＋）、４・・・エミッタ
領域（Ｎつ、５・・・埋込み層（Ｎ＋）、６・・・分離
層、Ａ１・・・第１電極、八・・・第２電極、Ｋ・・・
カソード。 第３図 第４図

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体基体の一表面側に低濃度不純物の第１導電型のベ
    ース拡散領域が形成され、このベース拡散領域を貫通し
    て前記半導体基体の内部に高濃度不純物の第１導電型の
    深い拡散領域が形成され、この深い拡散領域の上部を覆
    って前記ベース拡散領域内に高濃度不純物の第２導電型
    のエミッタ拡散領域が形成されてなる埋込み型ツェナー
    ダイオードにおいて、前記ベース拡散領域に二つの電極
    を設けたことを特徴とする埋込み型ツェナーダイオード
    。
JP3722584U 1984-03-15 1984-03-15 埋込み型ツエナ−ダイオ−ド Granted JPS60149152U (ja)

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JPS60149152U true JPS60149152U (ja) 1985-10-03
JPH0346507Y2 JPH0346507Y2 (ja) 1991-10-01

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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54111290A (en) * 1978-02-20 1979-08-31 Nec Corp Semiconductor device
JPS54112182A (en) * 1978-02-22 1979-09-01 Nec Corp Semiconductor device
JPS5636171A (en) * 1979-08-31 1981-04-09 Hitachi Ltd Zener diode and manufacture thereof
JPS5737884A (en) * 1980-08-19 1982-03-02 Nec Corp Semiconductor device
JPS57147285A (en) * 1981-03-05 1982-09-11 Mitsubishi Electric Corp Zener diode

Patent Citations (5)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JPS57147285A (en) * 1981-03-05 1982-09-11 Mitsubishi Electric Corp Zener diode

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JPH0346507Y2 (ja) 1991-10-01

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