JPS58114054U - 光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置

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JPS58114054U
JPS58114054U JP979082U JP979082U JPS58114054U JP S58114054 U JPS58114054 U JP S58114054U JP 979082 U JP979082 U JP 979082U JP 979082 U JP979082 U JP 979082U JP S58114054 U JPS58114054 U JP S58114054U
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JP
Japan
Prior art keywords
region
optical semiconductor
semiconductor device
conductivity type
type provided
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Pending
Application number
JP979082U
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English (en)
Inventor
吉武　知信
Original Assignee
日本電気株式会社
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Publication date
Application filed by 日本電気株式会社 filed Critical 日本電気株式会社
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図ａ、　　ｂは従来の横型光サイリスタの一例の平
面図及び断面図、第２図ａ、　　ｂは本考案め第１の実
施例の平面図及び断面図、第３図は本考案の第２の実施
例の平面図である。 １・・・・・・Ｎ型ベース層、２・・・・・・Ｐ型ベー
ス層、３゛・・・・・・Ｐ型エミッタ層、４・・・・・
・Ｎ型エミツタ層、５　　　　′・・・・・・陽極、６
・・・・・・ゲート、７・・・・・・陰極、１１・・・
・・・Ｎ型半導体基板、１２．１２’・・・・・・Ｐ型
箱１領域、１３．１３’・・・・・・Ｐ型第２領域、１
４．１４’・・・・・・Ｎ型第３領域、１５．１５’・
・・・・・陽極、１６゜１６′・・・・・・ゲート電極
、１７．１７’・・・・・・陰極。

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. （１）−導電型半導体基板の一主面に設けられた反対導
    電型の第１領域と、前記第１領域を間隔をおいて包囲す
    るように設けられた反対導電型の第２′領域と、前記第
    ２領域内に設けられた一導電型の第３領域とを含むこと
    を特徴とする光半導体装置。
  2. （２）実用新案登録請求の範囲第（１）項記載の光半導
    体装置にお２いて、−導電型半導体基板の一主面に設け
    られた反対導電型の第１領域と、前記第１領域を間隔を
    おいて包囲するように設けられた反対導電型の第２領域
    と、前記第２領域内に設けられた一導電型の第３領域と
    を含んで構成される光半導体装置を同一半導体基板に二
    つ設け、一方の光半導体装置の第１領域を他方の光半導
    体装置の第３領域に電気的に接続し、一方の光半導体装
    置の第３領域を他方の光半導体装置の第１領域に電気的
    に接続したもの。
JP979082U 1982-01-27 1982-01-27 光半導体装置 Pending JPS58114054U (ja)

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JP979082U JPS58114054U (ja) 1982-01-27 1982-01-27 光半導体装置

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JPS58114054U true JPS58114054U (ja) 1983-08-04

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