JPS58168149U - トランジスタ - Google Patents

トランジスタ

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Publication number
JPS58168149U
JPS58168149U JP6512982U JP6512982U JPS58168149U JP S58168149 U JPS58168149 U JP S58168149U JP 6512982 U JP6512982 U JP 6512982U JP 6512982 U JP6512982 U JP 6512982U JP S58168149 U JPS58168149 U JP S58168149U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
base
collector
transistor
conductivity type
Prior art date
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Pending
Application number
JP6512982U
Other languages
English (en)
Inventor
田中　忠彦
田頭　一夫
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 三洋電機株式会社 filed Critical 三洋電機株式会社
Priority to JP6512982U priority Critical patent/JPS58168149U/ja
Publication of JPS58168149U publication Critical patent/JPS58168149U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来例を示す断面図、第２図ａは本考案の実施
例を示す断面図、第２図すはその等価回路図である。 ５・・・Ｎ十型半導体基板、６・・・コレクタ領域、７
・・・ベース領域、８・・・エミッタ領域、９・・・Ｎ
型領域、１０・・・ベースコンタクト領域、１１・・・
コレクター、　ベース接合、１２・・・Ｐ＋Ｎ接合、１
３・・・酸化膜、１４・・・エミッタ電極、１５・・・
ベース電極、１６・・・ツェナーダイオード。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型のコレクタ領域と、該コレクタ領域内に形成さ
    れた逆導電型のベース領域と、該ベース領域内に形成さ
    れたエミッタ領域と、前記ベース□領域の表面に同導電
    拗で高不純物濃度に形成されたベースコンタクト領域と
    を備えたトランジスタに於いて、前記ベースコンタクト
    領域をコレクタベース接合から前記コレクタ領域表面に
    延在して、コレクタベース間にツェナーダイオードを形
    成したことを特徴とするトランジスタ。
JP6512982U 1982-05-04 1982-05-04 トランジスタ Pending JPS58168149U (ja)

Priority Applications (1)

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JP6512982U JPS58168149U (ja) 1982-05-04 1982-05-04 トランジスタ

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6512982U JPS58168149U (ja) 1982-05-04 1982-05-04 トランジスタ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58168149U true JPS58168149U (ja) 1983-11-09

Family

ID=30075120

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6512982U Pending JPS58168149U (ja) 1982-05-04 1982-05-04 トランジスタ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58168149U (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62299076A (ja) * 1986-06-18 1987-12-26 Nec Corp 半導体装置
JPH04350974A (ja) * 1991-05-29 1992-12-04 Nec Corp 半導体装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62299076A (ja) * 1986-06-18 1987-12-26 Nec Corp 半導体装置
JPH04350974A (ja) * 1991-05-29 1992-12-04 Nec Corp 半導体装置

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