JPS60116254U - ダ−リントン接続形トランジスタ装置 - Google Patents

ダ−リントン接続形トランジスタ装置

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JPS60116254U
JPS60116254U JP193284U JP193284U JPS60116254U JP S60116254 U JPS60116254 U JP S60116254U JP 193284 U JP193284 U JP 193284U JP 193284 U JP193284 U JP 193284U JP S60116254 U JPS60116254 U JP S60116254U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
conductivity type
main surface
transistor device
semiconductor substrate
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Pending
Application number
JP193284U
Other languages
English (en)
Inventor
唐澤　鎮男
Original Assignee
三菱電機株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 三菱電機株式会社 filed Critical 三菱電機株式会社
Priority to JP193284U priority Critical patent/JPS60116254U/ja
Publication of JPS60116254U publication Critical patent/JPS60116254U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のダーリントン接続形トランジスタ装置の
構成例を示す図、第２図はこの考案によるトランジスタ
装置の一実施例の構成を示す図である。 図において、１は半導体基体、２はｎ−形高抵抗層（第
１領域）、３はｎ＋形コレクタ層（第１領域）、４はＰ
形前段ベース（第２領域）、５はＰ形後段ベース（第３
領域）、６はｎ形部段エミッタ（第４領域）、７はｎ形
後段エミッタ（第５領域）、８は分離層（第１導電形）
、Ｊｌ、Ｊ２ハＰｎ接合、Ｃはコレクタ端子、Ｂはベー
ス端子、Ｅはエミッタ端子、Ｄはスピードアップ・ダイ
オード、Ｒ８は負の温度係数をもつ感熱抵抗体である。 なお、図中同一あるいは相当部分には同一符号を付して
示しである。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ゛　第１および第２の主表面を有する半導体基体内に形
    成され、上記第１の主表面に露出した第１導電形の第１
    領域、上記第１導電形とは逆の第２導電形を有し、上記
    第１領域に接してＰ°接合を形成するとともに、第２主
    表面部に上記Ｐｎ接合より浅く形成されている第１導電
    形の隼抗層により分離され、それぞれ第２の主表面に露
    出した第２および第３領域、並びに第１導電形を有し、
    上記第２および第３領域内に、それぞれＰ”接合を形、
    成するとともに第２の主表面に露出するように形成され
    た第４および第５領域を備え、第３領域と第４領域とを
    電気的に接続し、第１、第２および第５領域からそれぞ
    れコレクタ、ベース、エミッタ端子を引き出し、半導体
    基体外に存在して温度係数が負である感熱抵抗体を介し
    て第３領域と第４領域゛がベース端子に接続されている
    ことを特徴とするダーリントン接続形トランジスタ装置
    。
JP193284U 1984-01-11 1984-01-11 ダ−リントン接続形トランジスタ装置 Pending JPS60116254U (ja)

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JPS60116254U true JPS60116254U (ja) 1985-08-06

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