JPS59161643U - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JPS59161643U
JPS59161643U JP3731784U JP3731784U JPS59161643U JP S59161643 U JPS59161643 U JP S59161643U JP 3731784 U JP3731784 U JP 3731784U JP 3731784 U JP3731784 U JP 3731784U JP S59161643 U JPS59161643 U JP S59161643U
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JP
Japan
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conductivity type
opposite conductivity
semiconductor layer
single crystal
crystal semiconductor
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Pending
Application number
JP3731784U
Other languages
English (en)
Inventor
豊田　和博
Original Assignee
富士通株式会社
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Publication date
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  • Element Separation (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は従来例による半導体装置。 第３図は本考案による半導体装置を示す。 １０１・・・Ｐ形シリコン半導体基板、１０２・・・ｎ
“形低抵抗層、１０３・・・ｎ形シリコン単結晶半導体
層、１０４・・・コレクタ領域、１０５・・・エミッタ
領域、１０６・・・分離領域、１０７・・・シリコン酸
化膜、１０８・・・多結晶シリコン層。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型を有する半導体基板の全面に高濃度不純物を含
    む逆導電型低抵抗層、該低抵抗層より低い不純物濃度の
    逆導電型単結晶半導体層、該逆導電型単結晶半導体層内
    にあって、該逆導電型単結晶半導体層と共にラテラルト
    ランジスタを構成する第１および第２の一導電型不純物
    領域が形成され、前記逆導電型半導体層及び低抵抗層を
    突き抜け、前記−導電型を有する半導体基板に達する絶
    縁物分離領域が形成されてなることを特徴とする半導体
    集積回路装置。
JP3731784U 1984-03-15 1984-03-15 半導体集積回路装置 Pending JPS59161643U (ja)

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JPS59161643U true JPS59161643U (ja) 1984-10-29

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