JPS59164254U - 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタ - Google Patents

絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタ

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Publication number
JPS59164254U
JPS59164254U JP5883183U JP5883183U JPS59164254U JP S59164254 U JPS59164254 U JP S59164254U JP 5883183 U JP5883183 U JP 5883183U JP 5883183 U JP5883183 U JP 5883183U JP S59164254 U JPS59164254 U JP S59164254U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
field effect
effect transistor
insulated gate
gate field
semiconductor substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5883183U
Other languages
English (en)
Inventor
斉藤　忠義
森上　隆
Original Assignee
日本電気株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 日本電気株式会社 filed Critical 日本電気株式会社
Priority to JP5883183U priority Critical patent/JPS59164254U/ja
Publication of JPS59164254U publication Critical patent/JPS59164254U/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Protection Of Static Devices (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案を採用したｎチャンネル型ＭＯ８ＦＥ；
ｒの保護ダイオード部の断面図である。 第２図は、従来構造の保護ダイオードを示す断面図であ
る。 １・・・・・・ｎ型のドレイン層、２．１２・・・・・
・ｐ型つ、エル、３・・・・・・ｎ型のソース層、４．
１４・・・・・・保護ダイオードのｎ型層、５．１５・
・・・・・保護ダイオードのｐ型層、６・・・・・・ポ
リシリコンゲート電極、７・・・・・・酸化膜、８・・
・・・・保護ダイオード電極、９・・・・・・ゲート電
極、１０・・・・・・ソース電極。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート・ソース間
    に半導体基板とその上に形成される多結晶シリコンとで
    構成された保護ダイオードを形成したことを特徴とする
    絶縁ゲート型電界錫果トランジスタ。
JP5883183U 1983-04-20 1983-04-20 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタ Pending JPS59164254U (ja)

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JP5883183U JPS59164254U (ja) 1983-04-20 1983-04-20 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタ

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JP5883183U JPS59164254U (ja) 1983-04-20 1983-04-20 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタ

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Publication Number Publication Date
JPS59164254U true JPS59164254U (ja) 1984-11-02

Family

ID=30189100

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5883183U Pending JPS59164254U (ja) 1983-04-20 1983-04-20 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタ

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50109682A (ja) * 1974-02-04 1975-08-28

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50109682A (ja) * 1974-02-04 1975-08-28

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