JPS59119045U - 高出力高周波トランジスタ - Google Patents

高出力高周波トランジスタ

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JPS59119045U
JPS59119045U JP1255383U JP1255383U JPS59119045U JP S59119045 U JPS59119045 U JP S59119045U JP 1255383 U JP1255383 U JP 1255383U JP 1255383 U JP1255383 U JP 1255383U JP S59119045 U JPS59119045 U JP S59119045U
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JP
Japan
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region
drain
deposited layer
frequency transistor
concentration
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JP1255383U
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JPH051083Y2 (ja
Inventor
滝野　孝則
Original Assignee
シャープ株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来装置の断面図、第２図は本考案による一実
施例の断面図である。 １：半導体基板、２：ソース領域、４ニドリフト領域、
６：ゲート電極、７：ソース電極、８ニドレイン電極、
９：酸化膜、１０：ｎ−堆積層、１１：ｎ＋ドレイン領
域。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ゲート電極下の基板とドレイン高濃度領域との間に、ド
    レイン高濃度領域と同一導電型の不純物を低濃度に拡散
    したドリフト領域を備えてなる電界効果トランジスタに
    おいて、ドリフト領域の一部に、該ドリフト領域と連続
    する同一導電型の低濃度不純物堆積層を設け、該堆積層
    上に高不純物濃度のドレイン領域を形成してなり、ドレ
    イン領域と半導体基板間の離間距離を堆積層によって大
    きくしたことを特徴とする高出力高周波トランジスタ。
JP1255383U 1983-01-28 1983-01-28 高出力高周波トランジスタ Granted JPS59119045U (ja)

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JP1255383U JPS59119045U (ja) 1983-01-28 1983-01-28 高出力高周波トランジスタ

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JPS59119045U true JPS59119045U (ja) 1984-08-11
JPH051083Y2 JPH051083Y2 (ja) 1993-01-12

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Cited By (3)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JPS49100979A (ja) * 1973-01-31 1974-09-24

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JPH051083Y2 (ja) 1993-01-12

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