JPH0256438U - - Google Patents

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JPH0256438U
JPH0256438U JP13489588U JP13489588U JPH0256438U JP H0256438 U JPH0256438 U JP H0256438U JP 13489588 U JP13489588 U JP 13489588U JP 13489588 U JP13489588 U JP 13489588U JP H0256438 U JPH0256438 U JP H0256438U
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Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案を説明する為の断面図、第２図
Ａと第２図Ｂは本考案を説明する為の回路図、第
３図は従来例を説明する為の回路図である。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) ソース電極とドレイン電極の中間にＰＮ接
    合を形成し、このＰＮ接合を逆バイアスすること
    によりソース・ドレイン間電流を制御する接合型
    ＦＥＴを備え、 ゲート・ソース間に並列にＰＮ接合ダイオード
    を挿入すると共に、ソース・ドレイン間に並列に
    ＰＮ接合保護ダイオードを挿入したことを特徴と
    する半導体装置。 (2) 一導電型の半導体基板と、 この基板の主表面に形成した逆導電型の第１と
    第２の拡散領域及び前記第２の拡散領域よりは深
    い第３の拡散領域と、 前記第１の拡散領域をチヤンネルとしその表面
    に形成した一導電型のゲート領域、及びゲート領
    域を挾んで両側に配置された逆導電型のソースコ
    ンタクト領域とドレインコンタクト領域とで形成
    する接合型ＦＥＴと、 前記第２の拡散領域をカソードとしその表面に
    形成した一導電型の拡散領域をアノードとするゲ
    ート・ソース間用の第１のＰＮ接合ダイオードと
    、 前記第３の拡散領域をカソードとしその表面に
    形成した一導電型の拡散領域をアノードとするソ
    ース・ドレイン間用の第２のＰＮ接合ダイオード
    と、 前記接合型ＦＥＴのソースコンタクト領域と前
    記第１のＰＮ接合ダイオードのアノードとを接続
    し、前記第２のＰＮ接合ダイオードのアノードと
    も電気的に接続するソース電極と、 前記接合型ＦＥＴのドレインコンタクト領域と
    前記第２のＰＮ接合ダイオードのカソードとを電
    気的に接続するドレイン電極と、 前記第１のＰＮ接合ダイオードのカソードと前
    記半導体基板とを電気的に接続する接続電極とを
    具備することを特徴とする半導体装置。
JP13489588U 1988-10-14 1988-10-14 Pending JPH0256438U (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0670602A1 (en) * 1994-02-28 1995-09-06 Nec Corporation Field effect transistor having capacitor between source and drain electrodes
JP2007305956A (ja) * 2006-04-13 2007-11-22 New Japan Radio Co Ltd 半導体集積回路

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0670602A1 (en) * 1994-02-28 1995-09-06 Nec Corporation Field effect transistor having capacitor between source and drain electrodes
EP0670602B1 (en) * 1994-02-28 2001-10-17 Nec Corporation Field effect transistor having capacitor between source and drain electrodes
JP2007305956A (ja) * 2006-04-13 2007-11-22 New Japan Radio Co Ltd 半導体集積回路

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