JPS6398663U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6398663U JPS6398663U JP19474786U JP19474786U JPS6398663U JP S6398663 U JPS6398663 U JP S6398663U JP 19474786 U JP19474786 U JP 19474786U JP 19474786 U JP19474786 U JP 19474786U JP S6398663 U JPS6398663 U JP S6398663U
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- JP
- Japan
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- diffusion region
- recess
- transistor
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- shot
- Prior art date
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- Granted
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
第１図は本考案の実施例であり半導体装置の断
面図、第２図は従来の半導体装置の断面図、第３
図は第１図の半導体装置の等価回路図、第４図は
保護ダイオードの深さ方向の理論上のキヤリア濃
度プロフアイルである。 １は基板、２は凹部、３は第１の拡散領域、４
はＧａＡｓ ＦＥＴ、５はチヤンネル領域、６は
ダイオード、７はシヨツトキ電極、８はソース電
極、９はドレイン電極、１０はゲート電極である
。
面図、第２図は従来の半導体装置の断面図、第３
図は第１図の半導体装置の等価回路図、第４図は
保護ダイオードの深さ方向の理論上のキヤリア濃
度プロフアイルである。 １は基板、２は凹部、３は第１の拡散領域、４
はＧａＡｓ ＦＥＴ、５はチヤンネル領域、６は
ダイオード、７はシヨツトキ電極、８はソース電
極、９はドレイン電極、１０はゲート電極である
。
Claims (1)
- 半導体基板に形成される一導電型で表面に凹部
を有する第１の拡散領域と、前記第１の拡散領域
の凹部に設けられたシヨツトキ電極と、前記第１
の拡散領域の凹部以外に設けられたトランジスタ
とを備え、前記トランジスタの動作時に於いて前
記シヨツトキ電極と前記第１の拡散領域で形成さ
れる保護ダイオードがピンチオフすることを特徴
とした半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19474786U JPH0648838Y2 (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19474786U JPH0648838Y2 (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6398663U true JPS6398663U (ja) | 1988-06-25 |
| JPH0648838Y2 JPH0648838Y2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=31152004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19474786U Expired - Lifetime JPH0648838Y2 (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0648838Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-12-18 JP JP19474786U patent/JPH0648838Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0648838Y2 (ja) | 1994-12-12 |
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