JPH01127262U - - Google Patents
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- JPH01127262U JPH01127262U JP2271388U JP2271388U JPH01127262U JP H01127262 U JPH01127262 U JP H01127262U JP 2271388 U JP2271388 U JP 2271388U JP 2271388 U JP2271388 U JP 2271388U JP H01127262 U JPH01127262 U JP H01127262U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- field effect
- effect transistor
- active layer
- gate electrode
- contact
- Prior art date
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- Pending
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
第１図〜第３図は本考案のシヨツトキー形電解
効果トランジスタの構造図、第４図、第５図は従
来素子の構造図を示す。 １：ＧａＡｓ基板、２：バツフア層、３：動作
層、４：ゲート電極、５：ソース電極、６：ドレ
イン電極、７：空乏層、８，９，１０：動作層。
効果トランジスタの構造図、第４図、第５図は従
来素子の構造図を示す。 １：ＧａＡｓ基板、２：バツフア層、３：動作
層、４：ゲート電極、５：ソース電極、６：ドレ
イン電極、７：空乏層、８，９，１０：動作層。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ 化合物半導体基板上にバツフア層及び動作層
を形成したその上部にゲート電極、ソース電極及
びドレイン電極を形成してなる電界効果トランジ
スタの前記ゲート電極下面と接合する前記動作層
の部分が厚さ不均一な形状を有する電界効果形ト
ランジスタ。 ２ 前記ゲート電極下面と接合する前記動作層の
部分が凹凸形状を有するものである実用新案登録
請求の範囲第１項記載の電界効果形トランジスタ
。 ３ 前記ゲート電極下面と接合する前記動作層の
部分が階段形状を有するものである実用新案登録
請求の範囲第１項記載の電界効果形トランジスタ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2271388U JPH01127262U (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2271388U JPH01127262U (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01127262U true JPH01127262U (ja) | 1989-08-31 |
Family
ID=31241072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2271388U Pending JPH01127262U (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01127262U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023171139A1 (ja) * | 2022-03-10 | 2023-09-14 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5814576A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-27 | Fujitsu Ltd | 電界効果トランジスタ |
| JPS59225571A (ja) * | 1983-06-03 | 1984-12-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電界効果トランジスタ |
| JPS6070771A (ja) * | 1983-09-27 | 1985-04-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電界効果トランジスタの製造方法 |
-
1988
- 1988-02-23 JP JP2271388U patent/JPH01127262U/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5814576A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-27 | Fujitsu Ltd | 電界効果トランジスタ |
| JPS59225571A (ja) * | 1983-06-03 | 1984-12-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電界効果トランジスタ |
| JPS6070771A (ja) * | 1983-09-27 | 1985-04-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電界効果トランジスタの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023171139A1 (ja) * | 2022-03-10 | 2023-09-14 | ローム株式会社 | 半導体装置 |