JPS59225571A - 電界効果トランジスタ - Google Patents
電界効果トランジスタInfo
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- JPS59225571A JPS59225571A JP10007783A JP10007783A JPS59225571A JP S59225571 A JPS59225571 A JP S59225571A JP 10007783 A JP10007783 A JP 10007783A JP 10007783 A JP10007783 A JP 10007783A JP S59225571 A JPS59225571 A JP S59225571A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は電界効果トランジスタのマイクロ波特性、スイ
ッチング速度特性の改良に関するものである。
ッチング速度特性の改良に関するものである。
ＧａＡｓ 電界効果トランジスタは高速のスイッチン
グ動作をするデバイスとして広く使われている。
グ動作をするデバイスとして広く使われている。
ＧａＡｓ 電界効果トランジスタの構造は図−１に示
すように半絶縁性ＧａＡｓ 結晶の表面にｎ型の動作
層２が形成され、動作層上にゲート電極３、ソース電極
４、ドレイン電極５を形成したものである。高周波特性
を良好とするにはゲート電極長を小さくする必要がある
が、従来のリングラフィ技術では１μｍ程度のゲート長
を作成するのが限界であり、これによって高周波特性が
制約されていた。
すように半絶縁性ＧａＡｓ 結晶の表面にｎ型の動作
層２が形成され、動作層上にゲート電極３、ソース電極
４、ドレイン電極５を形成したものである。高周波特性
を良好とするにはゲート電極長を小さくする必要がある
が、従来のリングラフィ技術では１μｍ程度のゲート長
を作成するのが限界であり、これによって高周波特性が
制約されていた。
本発明は、従来のリングラフィ技術を用いてゲート長を
実効的に短縮し、高周波特性を改良するものである。
実効的に短縮し、高周波特性を改良するものである。
以下図面にそって本発明を説明する。
図−２に本発明による電界効果トランジスタの一実施例
を示す。図−２において、ゲート電極３は薄い動作層７
と厚い動作層６の両方にまたがって形成せられ実効的な
ゲート長は薄い動作Ｎ７とゲート電極３との重なり長Ｌ
ｇ によって定まる。現在のリングラフィ技術、例え
ば１０対１の縮少投影露光装置を用いた技術では１μ？
ｎ 程度のパターン幅を有する電極を±０．１μｍ程度
の位置合わせ精度で作成できる。従って図−２において
実効ゲー） Ｊ） Ｌｇが０．２〜０．５μｍのものを
今日のりソグラフイ技術を用いて作成可能である。本発
明によれば、容易に短いゲート長を有する電界効果トラ
ンジスタを製造でき、その工業的価値は大きい。
を示す。図−２において、ゲート電極３は薄い動作層７
と厚い動作層６の両方にまたがって形成せられ実効的な
ゲート長は薄い動作Ｎ７とゲート電極３との重なり長Ｌ
ｇ によって定まる。現在のリングラフィ技術、例え
ば１０対１の縮少投影露光装置を用いた技術では１μ？
ｎ 程度のパターン幅を有する電極を±０．１μｍ程度
の位置合わせ精度で作成できる。従って図−２において
実効ゲー） Ｊ） Ｌｇが０．２〜０．５μｍのものを
今日のりソグラフイ技術を用いて作成可能である。本発
明によれば、容易に短いゲート長を有する電界効果トラ
ンジスタを製造でき、その工業的価値は大きい。
次にこのような電界効果トランジスタの製造法につき説
明する。
明する。
図−゛３〜図−５は、図−２の実施例の電界効果トラン
ジスタの製造工程を説明するための図である。
ジスタの製造工程を説明するための図である。
まず図−３に示すようｔこ半絶縁性ＧａＡｓ 結晶基
板の表面にｎ型の動作層７′を形成する。このときエビ
クキシャル技術、イオン注入のいずれでも可能であるが
、イオン注入による方がより再現性が良好な動作層を容
易に作成できる。このとき動作層の厚さとキャリア濃度
は電界効果トランジスタのピンチオフ電圧が所望の値と
なるように定める。
板の表面にｎ型の動作層７′を形成する。このときエビ
クキシャル技術、イオン注入のいずれでも可能であるが
、イオン注入による方がより再現性が良好な動作層を容
易に作成できる。このとき動作層の厚さとキャリア濃度
は電界効果トランジスタのピンチオフ電圧が所望の値と
なるように定める。
次に図−４・に示すようにフォトレジスト８をマスクと
してｎ型不純物例えばＳｉをＧａＡｓ結晶中にイオン注
入し、しかる後にフオトレジスｌ−８を除去して、適当
な方法、例えば５ｉｎ２ 膜を保護膜として用いてアニ
ールを行い注入イオンの活性化を行い、厚い動作層６を
形成する。ここで動作ＷＪ６は動作層７と比較してシー
トキャリア濃度が大きいか、または／そして厚さが厚い
。
してｎ型不純物例えばＳｉをＧａＡｓ結晶中にイオン注
入し、しかる後にフオトレジスｌ−８を除去して、適当
な方法、例えば５ｉｎ２ 膜を保護膜として用いてアニ
ールを行い注入イオンの活性化を行い、厚い動作層６を
形成する。ここで動作ＷＪ６は動作層７と比較してシー
トキャリア濃度が大きいか、または／そして厚さが厚い
。
次に図−５に示すようにゲート電極３を通常のりソグラ
フイ技術を用いて動作層６と７の両方にまたがって形成
する。このとき電極３と薄い動作Ｍ７との重なり部分の
長さＬｇは０．２〜０．５μｎｉ とする。しかる後
に図−２に示すようにソース電極４・とドレイン電極５
とを通常用いられている方法によって形成することによ
り、本発明によるトランジスタが完成する。
フイ技術を用いて動作層６と７の両方にまたがって形成
する。このとき電極３と薄い動作Ｍ７との重なり部分の
長さＬｇは０．２〜０．５μｎｉ とする。しかる後
に図−２に示すようにソース電極４・とドレイン電極５
とを通常用いられている方法によって形成することによ
り、本発明によるトランジスタが完成する。
図−６には、他の一実施例を示す。
この実施例では、まず一様シζ厚い動作層を結晶表面に
形成した後に選択エツチングによって部分的に動作層を
薄くシ、動作層６．７を得、その後ゲート電極３、ソー
ス電極４、ドレイン電極５を形成するものである。
形成した後に選択エツチングによって部分的に動作層を
薄くシ、動作層６．７を得、その後ゲート電極３、ソー
ス電極４、ドレイン電極５を形成するものである。
本発明によれば、ゲート長が短く、高周波特性が良好な
電界効果ｌ・ランジスタを容易に作成でき、その工業的
価値は大きい。
電界効果ｌ・ランジスタを容易に作成でき、その工業的
価値は大きい。
図−１はＧａＡｓ 電界効果トランジスタの基本構造
を示すための図、図−２は本発明の電界効果トランジス
タの一実施例としての構造を示すための図、図３．４．
５は本発明−電界効果トランジスタの製造方法を示すた
めの図、図−６は本発明の他の一実施例の製造方法を示
すための図である。 ｌ・・・半絶縁性ＧａＡｓ 基板 ２・・・ｎ型動作層 ３・・・ゲート電極 ４・・・・ソース電極 ５・・・ ドレイン電極 ８・・・フォトレジスト膜 図−１ 図−２ 図−３ 目−４ 図−５ 図−６ ３１１−
を示すための図、図−２は本発明の電界効果トランジス
タの一実施例としての構造を示すための図、図３．４．
５は本発明−電界効果トランジスタの製造方法を示すた
めの図、図−６は本発明の他の一実施例の製造方法を示
すための図である。 ｌ・・・半絶縁性ＧａＡｓ 基板 ２・・・ｎ型動作層 ３・・・ゲート電極 ４・・・・ソース電極 ５・・・ ドレイン電極 ８・・・フォトレジスト膜 図−１ 図−２ 図−３ 目−４ 図−５ 図−６ ３１１−
Claims (1)
- （１）半゛絶縁性半導体結晶基板の表面に電気伝導性を
有する動作層を、その厚さが薄い部分と厚い部分とを有
するように作成し、この薄い部分と厚い部分とにまたが
ってショットキゲート電極が形成され、ショットキゲー
ト電極を中央として、両側に厚い動作層の部分にソース
電極が薄い部分にドレイン電極が設けられたことを特徴
とする電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10007783A JPS59225571A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10007783A JPS59225571A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 電界効果トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59225571A true JPS59225571A (ja) | 1984-12-18 |
| JPH0434822B2 JPH0434822B2 (ja) | 1992-06-09 |
Family
ID=14264381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10007783A Granted JPS59225571A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59225571A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62267754A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光材料の製造方法 |
| JPH01127262U (ja) * | 1988-02-23 | 1989-08-31 | ||
| JPH05243278A (ja) * | 1991-07-15 | 1993-09-21 | Motorola Inc | 半導体装置 |
| US5384273A (en) * | 1994-04-26 | 1995-01-24 | Motorola Inc. | Method of making a semiconductor device having a short gate length |
-
1983
- 1983-06-03 JP JP10007783A patent/JPS59225571A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62267754A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光材料の製造方法 |
| JPH0544026B2 (ja) * | 1986-05-16 | 1993-07-05 | Fuji Xerox Co Ltd | |
| JPH01127262U (ja) * | 1988-02-23 | 1989-08-31 | ||
| JPH05243278A (ja) * | 1991-07-15 | 1993-09-21 | Motorola Inc | 半導体装置 |
| US5281839A (en) * | 1991-07-15 | 1994-01-25 | Motorola, Inc. | Semiconductor device having a short gate length |
| US5449628A (en) * | 1991-07-15 | 1995-09-12 | Motorola, Inc. | Method of making semiconductor device having a short gate length |
| KR100242477B1 (ko) * | 1991-07-15 | 2000-02-01 | 비센트 비.인그라시아 | 반도체 장치 |
| US5384273A (en) * | 1994-04-26 | 1995-01-24 | Motorola Inc. | Method of making a semiconductor device having a short gate length |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0434822B2 (ja) | 1992-06-09 |
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