JPH0242447U - - Google Patents

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JPH0242447U
JPH0242447U JP12245288U JP12245288U JPH0242447U JP H0242447 U JPH0242447 U JP H0242447U JP 12245288 U JP12245288 U JP 12245288U JP 12245288 U JP12245288 U JP 12245288U JP H0242447 U JPH0242447 U JP H0242447U
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diffusion layer
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resistance layer
conductivity
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JP12245288U
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【図面の簡単な説明】
第１図は本考案を説明する為の断面図、第２図
は従来例を説明する為の断面図である。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 高濃度、第１導電型のドレイン層と第２導
    電型の高抵抗層を有する半導体基板ウエーハの前
    記高抵抗層部分に第１導電型のベース拡散層が形
    成され、このベース拡散層内に高濃度、第２導電
    型のソース拡散層が形成され、このソース拡散層
    と前記高抵抗層に挾まれたチヤンネル領域となる
    ベース拡散層上にゲート絶縁膜を介してゲート電
    極が形成され、前記ソース拡散層とベース拡散層
    の双方にコンタクトするソース電極が形成された
    導電変調型ＭＯＳＦＥＴにおいて、 前記ゲート電極直下のドレイン層部分に前記半
    導体基板の裏面側に露出面を有し前記高抵抗層と
    境を接する高濃度、第２導電型の低抵抗層を具備
    することを特徴とする導電変調型ＭＯＳＦＥＴ。 (2) 前記低抵抗層は前記ドレイン層よりも基板
    表面側へ突出したことを特徴とする請求項第１項
    に記載の導電変調型ＭＯＳＦＥＴ。
JP12245288U 1988-09-19 1988-09-19 Pending JPH0242447U (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007266550A (ja) * 2006-03-30 2007-10-11 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 半導体装置
JP2012512538A (ja) * 2008-12-15 2012-05-31 アーベーベー・テヒノロギー・アーゲー バイポーラパンチスルー半導体装置およびそのような半導体装置の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62219668A (ja) * 1986-03-20 1987-09-26 Fujitsu Ltd 縦型ｍｏｓ電界効果トランジスタ
JPS6366971A (ja) * 1986-09-09 1988-03-25 Toshiba Corp 半導体装置

Patent Citations (2)

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