JPS6142863U - Ｍｏｓ半導体装置 - Google Patents

Ｍｏｓ半導体装置

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Publication number
JPS6142863U
JPS6142863U JP12742684U JP12742684U JPS6142863U JP S6142863 U JPS6142863 U JP S6142863U JP 12742684 U JP12742684 U JP 12742684U JP 12742684 U JP12742684 U JP 12742684U JP S6142863 U JPS6142863 U JP S6142863U
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JP
Japan
Prior art keywords
oxide film
semiconductor device
substrate
mos semiconductor
gate oxide
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Pending
Application number
JP12742684U
Other languages
English (en)
Inventor
宏之 大薮
武 鯨井
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のＭＯＳ半導体装置を説明する断面図、第
２図は本考氷のＭＯＳ半導体装置を説明する断面区であ
る。 ７主な図番の説明、２１は半導体基板、２２はソース領
域、２３はドレイン領域、２６はゲート電極、２９はフ
ィールド領域、３０は第１フィー少ド酸化膜、３１は導
電層、３２は第２フィールド酸化膜である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型の半導体基板と該基板表面に離間して設けた逆
    導電型のソースおよびドレイン領域と該ソースおよびド
    レイン領域間のチャンネル領域上に設けたゲート酸化膜
    と該ゲート酸化膜上に設け・たゲート電極とを具備する
    ＭＯＳ半導体装置に於いて、前記基板のフィールド酸化
    膜上にポリシリコンより成る導電層を設けることを特徴
    とするＭＯＳ半導体装置。
JP12742684U 1984-08-22 1984-08-22 Ｍｏｓ半導体装置 Pending JPS6142863U (ja)

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JP12742684U JPS6142863U (ja) 1984-08-22 1984-08-22 Ｍｏｓ半導体装置

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JPS6142863U true JPS6142863U (ja) 1986-03-19

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JP12742684U Pending JPS6142863U (ja) 1984-08-22 1984-08-22 Ｍｏｓ半導体装置

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