JPS60116255U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS60116255U
JPS60116255U JP315484U JP315484U JPS60116255U JP S60116255 U JPS60116255 U JP S60116255U JP 315484 U JP315484 U JP 315484U JP 315484 U JP315484 U JP 315484U JP S60116255 U JPS60116255 U JP S60116255U
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JP
Japan
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diffusion layer
impurity diffusion
conductivity type
semiconductor equipment
opposite conductivity
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Pending
Application number
JP315484U
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English (en)
Inventor
勲美 酒井
Original Assignee
日本電気株式会社
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図、第２図は本考案の一実施例の工程順の断面図で
ある。 なお図において、１０１・・・・・・Ｐ型シリコン基板
、１０２・・・・・・フィールド酸化膜、１０３・・・
・・・ゲート酸化膜、１０４・・・・・・ゲート電極、
１０５・・ＩＮ型不純物拡散層、１０６・・・・・・窒
化膜、１０７・・・・・・リンガラス（ＰＳＧ）膜、１
０８・・・・・・開口、１０９・・・・・・アルミニウ
ム電極、である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型の半導体基板に逆導電型の不純物拡散層を選択
    的に設けた半導体装置において、少なくとも前記逆導電
    型の不純物拡散層に接してその上に窒化膜が形成されて
    いることを特徴とする半導体装置。
JP315484U 1984-01-13 1984-01-13 半導体装置 Pending JPS60116255U (ja)

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JP315484U JPS60116255U (ja) 1984-01-13 1984-01-13 半導体装置

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JP315484U JPS60116255U (ja) 1984-01-13 1984-01-13 半導体装置

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JPS60116255U true JPS60116255U (ja) 1985-08-06

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ID=30477512

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JP315484U Pending JPS60116255U (ja) 1984-01-13 1984-01-13 半導体装置

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