JPS59135653U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS59135653U
JPS59135653U JP2822783U JP2822783U JPS59135653U JP S59135653 U JPS59135653 U JP S59135653U JP 2822783 U JP2822783 U JP 2822783U JP 2822783 U JP2822783 U JP 2822783U JP S59135653 U JPS59135653 U JP S59135653U
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JP
Japan
Prior art keywords
gate electrode
oxidation
semiconductor device
diffusion layer
region
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Pending
Application number
JP2822783U
Other languages
English (en)
Inventor
純司 清野
Original Assignee
日本電気株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は、従来のＭＯ３型電界効果トランジスタの構造
、第２図ａ〜ｃ１第３図は本考案によるＭＯ３型電界効
果トランジスタの実施例を示す。 図中、１は一導電型半導体基板、２はフィールド領域、
３はチャネルストッパー領域、４はゲート酸化膜、５は
ゲート電極、６．７は比較的深い接合を有する拡散層領
域、８は層間絶縁層、９゜１０．１１はコンタクトホー
ル、１２は配線用アルミ層、１３は前記層間絶縁膜８の
表面、１４は前記ゲート電極５の周辺に成長した熱酸化
膜、１５．１６は拡散層６．７上に成長した熱酸化膜、
１７．１８は熱酸化膜のくい込み、１９．２０は浅い接
合を有する拡散層領域、２１はシリコン窒　　　　′化
膜層、２２．２３は耐酸化性の領域、２４゜２５は前記
ゲート電極５の側面のシリコン酸化膜、を表わす。

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. （１）　　半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成さ
    れたゲート電極に対し自己整合的に形成されたソース、
    ドレイン領域となる浅い接合の拡散層領域と、前記ゲー
    ト電極の側面に密接して形成された耐酸化性の領域と、
    該耐酸化性の領域に対し自己整合的に形成された比較的
    深い接合の拡散層領域を有することを特徴とする半導体
    装置。
  2. （２）前記ゲート電極の側面にシリコン酸化膜を介して
    形成された耐酸化性の領域を有することを特徴とする実
    用新案登録請求の範囲第（１）項記載の半導体装置。
JP2822783U 1983-02-28 1983-02-28 半導体装置 Pending JPS59135653U (ja)

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JP2822783U JPS59135653U (ja) 1983-02-28 1983-02-28 半導体装置

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JP2822783U JPS59135653U (ja) 1983-02-28 1983-02-28 半導体装置

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JPS59135653U true JPS59135653U (ja) 1984-09-10

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