JPS59187155U - 静電誘導トランジスタ - Google Patents

静電誘導トランジスタ

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Publication number
JPS59187155U
JPS59187155U JP8266483U JP8266483U JPS59187155U JP S59187155 U JPS59187155 U JP S59187155U JP 8266483 U JP8266483 U JP 8266483U JP 8266483 U JP8266483 U JP 8266483U JP S59187155 U JPS59187155 U JP S59187155U
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JP
Japan
Prior art keywords
conductivity type
semiconductor layer
region
gate
static induction
Prior art date
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Pending
Application number
JP8266483U
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English (en)
Inventor
久森　文詞
Original Assignee
新日本無線株式会社
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Filing date
Publication date
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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の静電誘導トランジスタの断面図、第２図
は本考案の一実施例の静電誘導トランジスタの断面図、
第３図ａ〜Ｃは第２図に示したトランジスタのゲート部
分の製造工程を示す図である。 １・・・半導体基板、２・・・エピタキシャル層（半導
体層）、３・・・ソース領域、４・・・ゲート領域、５
・・・絶縁膜、６・・・ソース電極、７・・・ゲート電
極、８・・・ドレイン電極、９・・・空乏層、１０・・
・ゲート領域、１１・・・絶縁膜、１２・・・ゲート電
極、１３・・・絶縁膜。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 低抵抗の第１の導電型の半導体基板の裏側にドレイン電
    極が形成され、該半導体基板の上面に高抵抗の第１の導
    電型の半導体層が形成され、該半導体層の上に低抵抗の
    第１の導電型のソース領域が形成され、該ソース領域の
    少なくとも一部を囲むように上記第１の導電型と反対の
    第２の導電型のゲート領域が拡散によって上記半導体層
    の上に形成され、上記ソース領域にソース電極が、上記
    ゲート領域にゲート電極が各々接合された静電誘導トラ
    ンジスタにおいて、上記ゲート領域を少なくとも上記ソ
    ース領域側の一部が残るように除去して、その除去した
    部分に絶縁膜およびゲート電極を底から順次積層して形
    成し、該ゲート電極が上記残ったゲート領域にオーミッ
    ク接合されるようにしたことを特徴とする静電誘導トラ
    ンジスタ。
JP8266483U 1983-05-31 1983-05-31 静電誘導トランジスタ Pending JPS59187155U (ja)

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JPS59187155U true JPS59187155U (ja) 1984-12-12

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