JPS60149150U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS60149150U
JPS60149150U JP3539684U JP3539684U JPS60149150U JP S60149150 U JPS60149150 U JP S60149150U JP 3539684 U JP3539684 U JP 3539684U JP 3539684 U JP3539684 U JP 3539684U JP S60149150 U JPS60149150 U JP S60149150U
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JP
Japan
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region
conductivity type
base
collector
protective film
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Pending
Application number
JP3539684U
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English (en)
Inventor
正明 池田
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Publication date
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Priority to JP3539684U priority Critical patent/JPS60149150U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のラテラル型トランジスタを示す断面図、
第２図は差動増幅回路の一例を示す回路図である。第３
図及び第４図は本考案による半導体装置を示すものでミ
第３図は断面図、第４図は上面図である。 １．３０・・・半導体基板、２．３１・・・エピタキシ
ャル層、４，３３・・・島領域（ベース領域）、６゜３
５・・・エミッタ領域、７，３６・・・コレクタ領域、
８．３７・・・ベースコンタクト領域、４１・・・ベー
ス電極。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型の半導体基板上に設けた逆導電型のエピタキシ
    ャル層を、分離領域で分離してベース領域として働く島
    領域を形成し、この島領域内に一導電型のコレクタ領域
    およびエミッタ領域を設けると共に、前記エピタキシャ
    ル表面が保護膜で被覆されてなるラテラル型トランジス
    タを、集積回路の差動入力回路に用いてなる半導体装置
    であって、前記コレクタ領域の外側にベースコンタクト
    領域を設けると共に、前記コレクタ領域に向かつそ、ベ
    ース電極を前記保護膜上に延在せしめ、表−面再結合電
    流を抑制することを特徴とするラテラル型トランジスタ
    。
JP3539684U 1984-03-12 1984-03-12 半導体装置 Pending JPS60149150U (ja)

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JP3539684U JPS60149150U (ja) 1984-03-12 1984-03-12 半導体装置

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JP3539684U JPS60149150U (ja) 1984-03-12 1984-03-12 半導体装置

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JPS60149150U true JPS60149150U (ja) 1985-10-03

Family

ID=30539634

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JP3539684U Pending JPS60149150U (ja) 1984-03-12 1984-03-12 半導体装置

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JP (1) JPS60149150U (ja)

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