JPS58184856U - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS58184856U JPS58184856U JP8204382U JP8204382U JPS58184856U JP S58184856 U JPS58184856 U JP S58184856U JP 8204382 U JP8204382 U JP 8204382U JP 8204382 U JP8204382 U JP 8204382U JP S58184856 U JPS58184856 U JP S58184856U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- junction
- semiconductor equipment
- substrate region
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図及び第２図は従来装置の断面図、第３図は本考案
による一実施例を示す断面図、第４図は第２図の要部拡
大断面図である。 １・・・コレクタ、２・・・ベース、３・・・エミッタ
、４゜５・・・ＰＮ接合、６・・−８ｉｎ２膜、７・・
！ベース電極、８・・・エミッタ電極、１１．１２・・
・導電体。。
による一実施例を示す断面図、第４図は第２図の要部拡
大断面図である。 １・・・コレクタ、２・・・ベース、３・・・エミッタ
、４゜５・・・ＰＮ接合、６・・−８ｉｎ２膜、７・・
！ベース電極、８・・・エミッタ電極、１１．１２・・
・導電体。。
Claims (1)
- ＰＮ接合が半導体基板の一主表面に終端して形成された
半導体装置において、ＰＮ接合を被う絶縁膜上であって
、接合で囲まれた一方の基板領域上にのみ寄せて導電体
を形成し、該導電体を導電体が位置付けられた基板領域
と同電位に接続してなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8204382U JPS58184856U (ja) | 1982-06-01 | 1982-06-01 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8204382U JPS58184856U (ja) | 1982-06-01 | 1982-06-01 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58184856U true JPS58184856U (ja) | 1983-12-08 |
Family
ID=30091123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8204382U Pending JPS58184856U (ja) | 1982-06-01 | 1982-06-01 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58184856U (ja) |
-
1982
- 1982-06-01 JP JP8204382U patent/JPS58184856U/ja active Pending
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