JPS6120063U - 抵抗体内蔵半導体装置 - Google Patents

抵抗体内蔵半導体装置

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JPS6120063U
JPS6120063U JP10403984U JP10403984U JPS6120063U JP S6120063 U JPS6120063 U JP S6120063U JP 10403984 U JP10403984 U JP 10403984U JP 10403984 U JP10403984 U JP 10403984U JP S6120063 U JPS6120063 U JP S6120063U
Authority
JP
Japan
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resistor
semiconductor device
built
substrate
transistor
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JP10403984U
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Inventor
忠彦 田中
勉 野崎
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三洋電機株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】 第１図イは本考案による抵抗体内蔵半導体装置を説明す
る平面図で第１図川よ第１図イのＩ−Ｉ線断面図である
。 第２図イは従来の抵抗体内蔵半導体装置を説明する平面
図で第２図口は第２図イのｔｔ−ｎ線断面図である。 主な図番の説明、１は半導体基板、９はエミッタ電極、
８はベース電極、１０はシールドアルミ電極、１１はペ
ースボンデイングパッドである。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型の半導体基板と該基板内に形成されたトランジ
    スタと前記基板表面を被覆する酸化膜と該酸化膜上に設
    けた抵抗体と該抵抗体と前記トランジスタを接続する電
    極及び配線とを具備する半導体装置＆Ｅおいて、前記抵
    抗体の少なくとも一部ヲ前記トランジスタのコレクタ・
    ベース接合上に配置した事を特徴とする抵抗体内蔵半導
    体装置。
JP10403984U 1984-07-10 1984-07-10 抵抗体内蔵半導体装置 Granted JPS6120063U (ja)

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JP10403984U JPS6120063U (ja) 1984-07-10 1984-07-10 抵抗体内蔵半導体装置

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JPS6120063U true JPS6120063U (ja) 1986-02-05
JPH0440274Y2 JPH0440274Y2 (ja) 1992-09-21

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6313371A (ja) * 1986-07-03 1988-01-20 Rohm Co Ltd 半導体装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5853860A (ja) * 1981-09-26 1983-03-30 Toshiba Corp 高耐圧プレ−ナ型半導体装置

Patent Citations (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5853860A (ja) * 1981-09-26 1983-03-30 Toshiba Corp 高耐圧プレ−ナ型半導体装置

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JPS6313371A (ja) * 1986-07-03 1988-01-20 Rohm Co Ltd 半導体装置

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JPH0440274Y2 (ja) 1992-09-21

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