JPS5853160U - 非晶質半導体装置 - Google Patents
非晶質半導体装置Info
- Publication number
- JPS5853160U JPS5853160U JP14888881U JP14888881U JPS5853160U JP S5853160 U JPS5853160 U JP S5853160U JP 14888881 U JP14888881 U JP 14888881U JP 14888881 U JP14888881 U JP 14888881U JP S5853160 U JPS5853160 U JP S5853160U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode film
- semiconductor device
- amorphous semiconductor
- transparent substrate
- extension part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は従来装置を示し、同図Aは平面図、BはAに於
けるB−B’線断面図、CはAに於けるC−c’線断面
図、第2図A及びBは本考案装置の一実施例の断面図で
ある。 1・・・・・・透光性基板、2・・・・・・第1の電極
膜、3・・・・・・非晶質半導体膜、4・・・・・・第
2の電極膜、6,7′・・・・・・第1・第2のIJ−
ド線、9・・・・・・電極パッド、10・・・・・・超
音波ハンダ層。
けるB−B’線断面図、CはAに於けるC−c’線断面
図、第2図A及びBは本考案装置の一実施例の断面図で
ある。 1・・・・・・透光性基板、2・・・・・・第1の電極
膜、3・・・・・・非晶質半導体膜、4・・・・・・第
2の電極膜、6,7′・・・・・・第1・第2のIJ−
ド線、9・・・・・・電極パッド、10・・・・・・超
音波ハンダ層。
Claims (1)
- 透光性基板上に、透光性の第1の電極膜、非晶質半導体
膜及び第2の電極膜を順次積層せしめた非晶質半導体装
置に於いて、上記透光性基板上に露出した第1の電極膜
の露出部と、上記第2の電極膜から透光性基板上に延出
した延出部と、該延出部と電気的に連なる上記第1の電
極膜と同材料から形成された電極パ・シトと、外部に出
力を導出する第1・第2のリード線と、から成り、該第
1・第2のリード線は上記露出部並びに電極パッドに接
続せしめられていることを特徴とした非晶゛負半導体装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14888881U JPS5853160U (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 非晶質半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14888881U JPS5853160U (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 非晶質半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5853160U true JPS5853160U (ja) | 1983-04-11 |
JPS6244533Y2 JPS6244533Y2 (ja) | 1987-11-25 |
Family
ID=29941687
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14888881U Granted JPS5853160U (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 非晶質半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5853160U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6187676U (ja) * | 1984-11-07 | 1986-06-07 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55123176A (en) * | 1979-03-15 | 1980-09-22 | Sharp Corp | Thin film solar cell |
JPS5638791A (en) * | 1979-09-07 | 1981-04-14 | Hitachi Ltd | Voltage compensation type electroluminescent element |
-
1981
- 1981-10-06 JP JP14888881U patent/JPS5853160U/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55123176A (en) * | 1979-03-15 | 1980-09-22 | Sharp Corp | Thin film solar cell |
JPS5638791A (en) * | 1979-09-07 | 1981-04-14 | Hitachi Ltd | Voltage compensation type electroluminescent element |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6187676U (ja) * | 1984-11-07 | 1986-06-07 | ||
JPH037076Y2 (ja) * | 1984-11-07 | 1991-02-21 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6244533Y2 (ja) | 1987-11-25 |
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