JPS5937730U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS5937730U
JPS5937730U JP13256782U JP13256782U JPS5937730U JP S5937730 U JPS5937730 U JP S5937730U JP 13256782 U JP13256782 U JP 13256782U JP 13256782 U JP13256782 U JP 13256782U JP S5937730 U JPS5937730 U JP S5937730U
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JP
Japan
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semiconductor device
semiconductor equipment
thickness
insulating film
conductor
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Pending
Application number
JP13256782U
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English (en)
Inventor
少前　和伸
上内　元
Original Assignee
シャープ株式会社
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Publication date
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Priority to JP13256782U priority Critical patent/JPS5937730U/ja
Publication of JPS5937730U publication Critical patent/JPS5937730U/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は降伏電圧と酸化膜厚との関係を示す図、第２図
ａ　％　ｅは本考案による一実施例を説明するための製
造工程を示す半導体基板の断面図である。 １：Ｎ　　型シリコレ層、２：Ｎ型シリコン層、３：ベ
ース層、４．５：酸化膜、６：エミッタ領域、７：ベー
ス領域、８：エミッタ電極、９：ベースコレクタ接合、
１０：コレクタ電極。

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. （１）コレクタ・ベース接合が半導体基板に達している
    表面を、絶縁膜を介して、一方の端がベース領域に接続
    された導電体で被ってなる半導体装置において、導電体
    下の絶縁膜厚を１．５μｍ〜３−０μｍに形成したこと
    を特徴とする半導体装置。
  2. （２）前記半導体装置は光を受光するためおホトトラン
    ジスタであることを特徴とする請求の範囲第１項記載の
    半導体装置。
JP13256782U 1982-08-31 1982-08-31 半導体装置 Pending JPS5937730U (ja)

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JPS5937730U true JPS5937730U (ja) 1984-03-09

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