JPS59128748U - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS59128748U JPS59128748U JP23984U JP23984U JPS59128748U JP S59128748 U JPS59128748 U JP S59128748U JP 23984 U JP23984 U JP 23984U JP 23984 U JP23984 U JP 23984U JP S59128748 U JPS59128748 U JP S59128748U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- conductivity type
- base
- collector
- semiconductor equipment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Bipolar Transistors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は本考案の一実施例を説明するための、ＮＰＮ型
トランジスタとツェナーダイオードめ断面図である。６
はコレクタ領域、４はエミッタ領域、３はベース領域で
ある。７はツェナーダイオードのアノードとなるＰ型層
である。１はベース接続、２はエミッタ接続である。
トランジスタとツェナーダイオードめ断面図である。６
はコレクタ領域、４はエミッタ領域、３はベース領域で
ある。７はツェナーダイオードのアノードとなるＰ型層
である。１はベース接続、２はエミッタ接続である。
Claims (1)
- 一導電型のコレクタ領域と、該コレクタ領域に形成され
た他の導電型のベース領域および付加領域と、該ベース
領域に形成された前記−導電型のエミッタ領域とを備え
、前記コレクタ領域と前記付加領域とはツェナーダイオ
ードを形成し、前記付加領域を前記エミッタ領域に接続
し、前記ツェナーダイオードのブレークダウン電圧を前
記ベース・コレクタ領域間のブレークダウン電圧よりも
小さくしたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23984U JPS59128748U (ja) | 1984-01-05 | 1984-01-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23984U JPS59128748U (ja) | 1984-01-05 | 1984-01-05 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59128748U true JPS59128748U (ja) | 1984-08-30 |
Family
ID=30131996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23984U Pending JPS59128748U (ja) | 1984-01-05 | 1984-01-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59128748U (ja) |
-
1984
- 1984-01-05 JP JP23984U patent/JPS59128748U/ja active Pending
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