JPS5887363U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS5887363U
JPS5887363U JP18296781U JP18296781U JPS5887363U JP S5887363 U JPS5887363 U JP S5887363U JP 18296781 U JP18296781 U JP 18296781U JP 18296781 U JP18296781 U JP 18296781U JP S5887363 U JPS5887363 U JP S5887363U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epitaxial layer
type epitaxial
pad electrode
under
bonding pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP18296781U
Other languages
English (en)
Inventor
友昭 吉田
満 芳賀
Original Assignee
沖電気工業株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 沖電気工業株式会社 filed Critical 沖電気工業株式会社
Priority to JP18296781U priority Critical patent/JPS5887363U/ja
Publication of JPS5887363U publication Critical patent/JPS5887363U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体装置の保護ダイオード部を示す断
面図、第２図は同平面説明図、第３図は保護ダイオード
の電気回路図、第４図はこの考案の一実施例による半導
体装置の保護ダイオード部を示す断面図、第５図は同平
面説明図である。 １・・・１体層、２．　２ａ・・・Ｎ型エピタキシャル
層、３・・・Ｐ型頭域、４・・・絶縁膜、５・・・Ｐ型
半導体基板、６・・・導体層、１１・・・入出力端子、
１２・・・保護ダイオード、２１・・・ポンディングパ
ッド電極、２２゜２２ａ−・・Ｎ型エピタキシャル層、
２３・・・Ｐ型頭域、２４・・・絶縁膜、２５・・・Ｐ
型半導体基板、２６・・・導体層、２７・・・Ｎ型の濃
度が高い領域。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ポンディングパッド電極下のＮ型エピタキシャル層をＰ
    型頭域によって他の領域のＮ型エピタキシャル層と分離
    し、ポンディングパッド電極とこの電極下の前記Ｎ型エ
    ピタキシャル層とこれらの間に設けた絶縁膜の穴部を介
    して導通させ、ポンディングパッド電極下のＮ型エピタ
    キシャル層とこのＮ型エピタキシャル層下のＰ型半導体
    基板とのＰＮ接合によって、ポンディングパッド電極下
    に保護ダイオードを構成したことを特徴とする半導体装
    置。
JP18296781U 1981-12-10 1981-12-10 半導体装置 Pending JPS5887363U (ja)

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JPS5887363U true JPS5887363U (ja) 1983-06-14

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02267961A (ja) * 1989-04-07 1990-11-01 Fuji Electric Co Ltd Ｍｏｓ集積回路装置用入力回路保護装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5361982A (en) * 1976-11-15 1978-06-02 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor integrated circuit device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5361982A (en) * 1976-11-15 1978-06-02 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor integrated circuit device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02267961A (ja) * 1989-04-07 1990-11-01 Fuji Electric Co Ltd Ｍｏｓ集積回路装置用入力回路保護装置

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