JPS5981045U - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JPS5981045U
JPS5981045U JP17819282U JP17819282U JPS5981045U JP S5981045 U JPS5981045 U JP S5981045U JP 17819282 U JP17819282 U JP 17819282U JP 17819282 U JP17819282 U JP 17819282U JP S5981045 U JPS5981045 U JP S5981045U
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JP
Japan
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region
resistor
integrated circuit
semiconductor integrated
electrode pad
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Pending
Application number
JP17819282U
Other languages
English (en)
Inventor
岩崎 楠也
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は従来のサージ対策を施した回路図、第2図はそ
の具体的な内部構成を示す断面図、第3図は絶縁破壊状
態を示す拡大上面図、第4図は本考案集積回路の要部の
拡大上面図、第5図はその■−■線に沿う断面図、5は
抵抗体領域、10はコンタクト、11は絶縁破壊痕、1
2はN−型領域、AはN−型領域の外周線、BはPN接
合線、Cはコンタクトの外周線、を夫々示している。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 外部回路に直結される電極パッドと内部回路との間に半
    導体基板に逆導電型の不純物を導入1.て形成した抵抗
    体を挿入すると同時に該抵抗体と基板との間にダイオー
    ドを形成して外部回路からのサージに対する保護をはか
    った半導体集積回路に於て、上記電極パッドと上記抵抗
    体領域とのコンタクト領域をとり囲むように抵抗体領域
    の外周に上記半導体基板と同導電型の高濃度領域を設け
    ると共に、この高濃度領域の抵抗体領域に対向する外周
    線と該抵抗体領域を区画しているPN接合線と上記コン
    タクト領域の外周線とを均等間隙で配置せしめて成る半
    導体集積回路。
JP17819282U 1982-11-24 1982-11-24 半導体集積回路 Pending JPS5981045U (ja)

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JPS5981045U true JPS5981045U (ja) 1984-05-31

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005096370A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-13 Ricoh Company, Ltd. A semiconductor apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2005096370A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-13 Ricoh Company, Ltd. A semiconductor apparatus

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