JPS5995642U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS5995642U
JPS5995642U JP19089382U JP19089382U JPS5995642U JP S5995642 U JPS5995642 U JP S5995642U JP 19089382 U JP19089382 U JP 19089382U JP 19089382 U JP19089382 U JP 19089382U JP S5995642 U JPS5995642 U JP S5995642U
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JP
Japan
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electrode
semiconductor device
semiconductor equipment
semiconductor chip
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JP19089382U
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English (en)
Inventor
進 佐藤
Original Assignee
富士電機株式会社
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Pending legal-status Critical Current

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のガラススリーブＤＨＤ構造半導体装置の
断面図、第２図はそのダイオードチップの断面図、第３
図は第１図のチップ周辺部Ａの拡大図、第４図は本考案
の一実施例の断面図、第５図、ａ、ｂはそれぞれ本考案
の異なる実施例のリード線電極部の正面図、第６図はリ
ードないしダイオードにおける本考案の別の実施例の断
面図である。 １・・・半導体チップ、３・・・電極部、４・・・ガラ
ススリーブ、８，９・・・凸形状電極部。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体チップの両面の電極に接触する接続電極部の側面
    にガラススリーブが融着し、前記半導体チップの一方の
    電極が一芳の面に露出するＰＮ接合を覆う酸化膜の存在
    しない領域にバンプ電極として形成されるものにおいて
    、少なくとも一方の接続電極部が端面中央の突出した形
    状を有し、該突出部の先端でバンプ電極に接触すること
    を特徴−とする半導体装置。
JP19089382U 1982-12-17 1982-12-17 半導体装置 Pending JPS5995642U (ja)

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JP19089382U JPS5995642U (ja) 1982-12-17 1982-12-17 半導体装置

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JP19089382U JPS5995642U (ja) 1982-12-17 1982-12-17 半導体装置

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JPS5995642U true JPS5995642U (ja) 1984-06-28

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ID=30411199

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