JPS5981047U - 半導体素子 - Google Patents
半導体素子Info
- Publication number
- JPS5981047U JPS5981047U JP17687682U JP17687682U JPS5981047U JP S5981047 U JPS5981047 U JP S5981047U JP 17687682 U JP17687682 U JP 17687682U JP 17687682 U JP17687682 U JP 17687682U JP S5981047 U JPS5981047 U JP S5981047U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- junction
- mesa groove
- covered
- type region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は従来のDHD用半導体素子の断面図で1 ある
。第2図はこの考案の一実施例であるDHD用半導体素
子の断面図である。 1・・・・・・−導電型領域(N型領域)、2,3・・
・・・・反対導電型領域(P型頭域)、4,5・・・・
・・PN接合、6.7・・・・・・メサ溝、8,9・・
・・・・ガラス保護膜、10.11・・・・・・電極、
12.13・・・・・・段部、14゜15・・・・・・
絶縁膜。
。第2図はこの考案の一実施例であるDHD用半導体素
子の断面図である。 1・・・・・・−導電型領域(N型領域)、2,3・・
・・・・反対導電型領域(P型頭域)、4,5・・・・
・・PN接合、6.7・・・・・・メサ溝、8,9・・
・・・・ガラス保護膜、10.11・・・・・・電極、
12.13・・・・・・段部、14゜15・・・・・・
絶縁膜。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 一導電型領域、この−導電型領域の両面の反対導電型領
域、周縁部のPN接合よりも深いメサ溝、メカ苫に形成
されPN接合を保護するカラス保護膜を有する半導体素
子において、 前記メサ溝の主面近傍に段部を形成し、この段部の少な
くとも主面に近い肩部を絶縁膜で覆い、メサ溝をカラス
保護膜で被覆したことを特徴とする半導体素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17687682U JPS5981047U (ja) | 1982-11-22 | 1982-11-22 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17687682U JPS5981047U (ja) | 1982-11-22 | 1982-11-22 | 半導体素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5981047U true JPS5981047U (ja) | 1984-05-31 |
Family
ID=30384426
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17687682U Pending JPS5981047U (ja) | 1982-11-22 | 1982-11-22 | 半導体素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5981047U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62166549A (ja) * | 1986-01-20 | 1987-07-23 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1982
- 1982-11-22 JP JP17687682U patent/JPS5981047U/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62166549A (ja) * | 1986-01-20 | 1987-07-23 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
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