JPS5811269U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS5811269U
JPS5811269U JP10448081U JP10448081U JPS5811269U JP S5811269 U JPS5811269 U JP S5811269U JP 10448081 U JP10448081 U JP 10448081U JP 10448081 U JP10448081 U JP 10448081U JP S5811269 U JPS5811269 U JP S5811269U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor
semiconductor equipment
emitting device
light
electrodes
Prior art date
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Pending
Application number
JP10448081U
Other languages
English (en)
Inventor
福田　広和
篠原　宏爾
川端　良雄
西嶋　由人
山本　功作
Original Assignee
富士通株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 富士通株式会社 filed Critical 富士通株式会社
Priority to JP10448081U priority Critical patent/JPS5811269U/ja
Publication of JPS5811269U publication Critical patent/JPS5811269U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のレーザ素子の構造を示す斜視図、第２図
は本考案に係るレーザ素子の構造を示す斜視図である。 １：半導体部分、２：ｎ型半導体領域、３：ｎ型半導体
領域、４　：ｐｎ接合、１１：ｎ型半導体領域に対する
電極、１２：金リボン、２１：ｎ型半導体領域に対する
電極、２２：銅ブロック、３１：ｐ型半導体に対する電
極、３２．ｐｔ層、Ｌ：Ｌ／−ザ光の放射″方向、４１
：金電極層、４２．ｐｔ中間層。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 鉛カルコゲン系の多元半導体からなり、内部にＰｎ接合
    を有するとともにその両面にそれぞれ接触電極をそなえ
    てなる半導体発光素子において、当該発光素子のｎ型半
    導体面に非整流性接触する電極を、熱伝導性の良好な中
    間層を介して放熱部材上に固着してなることを特徴とす
    る半導体装置。
JP10448081U 1981-07-13 1981-07-13 半導体装置 Pending JPS5811269U (ja)

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JP10448081U JPS5811269U (ja) 1981-07-13 1981-07-13 半導体装置

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JPS5811269U true JPS5811269U (ja) 1983-01-25

Family

ID=29899067

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61174484U (ja) * 1985-04-19 1986-10-30
JPH0347221U (ja) * 1989-09-13 1991-05-01
JPH0637491U (ja) * 1992-10-19 1994-05-20 セイキ販売株式会社 左右両開きスクリーン開閉装置

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JPS61174484U (ja) * 1985-04-19 1986-10-30
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JPH0347221U (ja) * 1989-09-13 1991-05-01
JPH0637491U (ja) * 1992-10-19 1994-05-20 セイキ販売株式会社 左右両開きスクリーン開閉装置

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