JPS6016565U - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のシリコンバリスタを示す断面図である。 第２〜第７図は本考案のシリコンバリスタを製造工程順
に示すもので、第２図〜第６図は断面図、第７図は一部
切欠斜視図である。 ２１・・・・・・Ｎ形シリコン基板、２１ａ、２１ｂ・
・・・・・Ｎ形基板残存領域、２２．２３・・・・・・
ＳｉＯ２膜、２４．２５，２６．２７・・・・・・Ｐ十
形拡散領域、２８、　２９．　３０・・・・・・Ｎ十形
拡散領域、３１・・・・・・Ｓｉ３Ｎ４膜、３２．３３
・・・・・・電極、３４．　３５・・・・・・電流通路
、２１Ａ・・・・・・バリスタチップ。

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. （１）相対向する第１と第２の主面を有する半導体基板
   を前記第１の主面から前記第２主面にかけて貫通するＰ
   Ｎ接合と；このＰＮ接合を境界とする前記半導体基板の
   一方の側にあって、前記第１主面に露出する部分を有す
   る第１導電形の第１半導体領域と；前記半導体基板の前
   記一方の側にあって、前記第１半導領域の前記第１主面
   に露出する部分を除いて前記第１半導体領域を包囲する
   ように前記第１主面に環状に露出する部分、前記ＰＮ接
   合を形成する部分および前記第２主面に露出する部分を
   有する前記第１導体形とは反対の第２導電体の第２半導
   体領域と；前記半導体基板の前記一方の側とは反対の他
   方の側にあって、前記第１主面に露出する部分を有する
   前記第２導電形の第２半導体領域と；前記半導体基板の
   前記他方の側にあって、前記第３半導体領域の前記第１
   主面に露出する部分を除いて前記第３半導体領域を包囲
   するように前記第１主面に環状に露出する部分、前記Ｐ
   Ｎ接合を形成する部分および前記第２主面に露出する部
   分を有する前記第１導電形の第４半導体領域と；前記第
   １半導体領域と前記第３半導体領域に達する２つの開口
   を有するように前記第１主面に被覆された絶縁膜と；前
   記２つの開口のそれぞれを通して、前記第１半導体領域
   に接続された電極、およびこの電極と連続または非連続
   の状態で前記第３半導体領域に接続された電極と；前記
   第２主面に形成され、前記ＰＮ接合を表面短絡するよう
   に前記第２半導体領域と前記第４半導体領域に接続され
   た電極と；を含むことを特徴とする半導体装置。
2. （２）逆並列に接続された２つのバリスタが構成されて
   いるものである実用新案登録請求の範囲第１項記載の半
   導体装置。