JPS583039U - 半導体回路装置の評価部構造 - Google Patents

半導体回路装置の評価部構造

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JPS583039U
JPS583039U JP9627481U JP9627481U JPS583039U JP S583039 U JPS583039 U JP S583039U JP 9627481 U JP9627481 U JP 9627481U JP 9627481 U JP9627481 U JP 9627481U JP S583039 U JPS583039 U JP S583039U
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JP
Japan
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channel portion
semiconductor layer
evaluation section
conductivity type
circuit device
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Pending
Application number
JP9627481U
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English (en)
Inventor
経則 山内
Original Assignee
富士通株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1,2図は従来の評価部を示す断面図、第3゜4図は
本考案の一実施例の評価部の平面図、断面図、第5図は
拡散の深さとチャネル部の飽和電流との関係を示すグラ
フである。 図中、1は半導体基板、2は半導体層(エピタキシャル
層)、8は分離拡散領域、13はチャネル部、14.1
5は導通部であるみ

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型の半導体基板上に設けられた反対導電型の半導
    体層と該半導体層の表面から拡散される一導電型の分離
    拡散領埴生を有してなる半導体層、路装置において、該
    分離拡散領域の拡散深さを評価する評価部の構造が、前
    記半導体基板と隣接して設けられた分離拡散領域とで囲
    まれる該半導体層のチャネル部と、該チャネル部の両端
    に導通ずる導通部とを有し、該チャネル部の断面積によ
    る該チャネル部両端間め抵抗値を有し、該チャネル部の
    断面積による該チャネル部両端間め抵抗値を評価するよ
    うにしてなることを特徴とする半導体回路装置の評価部
    構造。
JP9627481U 1981-06-29 1981-06-29 半導体回路装置の評価部構造 Pending JPS583039U (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6059098U (ja) * 1983-09-28 1985-04-24 新日本製鐵株式会社 溶射補修装置におけるパイプ送出用ガイドロ−ラ装置
JPS6148927A (ja) * 1984-08-16 1986-03-10 Matsushita Electronics Corp 半導体装置
JPS61124897U (ja) * 1985-01-23 1986-08-06

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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