JPS59112944U - 集積回路 - Google Patents
集積回路Info
- Publication number
- JPS59112944U JPS59112944U JP1983183901U JP18390183U JPS59112944U JP S59112944 U JPS59112944 U JP S59112944U JP 1983183901 U JP1983183901 U JP 1983183901U JP 18390183 U JP18390183 U JP 18390183U JP S59112944 U JPS59112944 U JP S59112944U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- region
- integrated circuit
- substrate
- type
- Prior art date
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- Pending
Links
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/535—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including internal interconnections, e.g. cross-under constructions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
添付図面の第1図は本考案の集積回路装置の一部分の概
略平面図、第2図から第5図は第1図の構造の種々な断
面を示す図である。 10・・・・・・集積回路装置、12・・・半導体基板
、14・・・・・・フィールド酸化物層、16・・・・
・・狭い通路、18・・・・・・熱的酸化物層、20・
・・・・・多結晶シリコンストリップ、22・・・・・
・絶縁層、24・・・・・・金属導体、26・・・・・
・第1の領域、28・・・・・・第2の領域、30・・
・・・・第3の領域、32. 34. 36. 38・
・・・・・回路手段。
略平面図、第2図から第5図は第1図の構造の種々な断
面を示す図である。 10・・・・・・集積回路装置、12・・・半導体基板
、14・・・・・・フィールド酸化物層、16・・・・
・・狭い通路、18・・・・・・熱的酸化物層、20・
・・・・・多結晶シリコンストリップ、22・・・・・
・絶縁層、24・・・・・・金属導体、26・・・・・
・第1の領域、28・・・・・・第2の領域、30・・
・・・・第3の領域、32. 34. 36. 38・
・・・・・回路手段。
Claims (5)
- (1)第1の導電型の半導体基板と、該基板の上方表面
に沿って該基板中に第1の信号を伝送するための狭い通
路を形成するフィールド酸化物と、前記基板の上でその
基板から絶縁され且つ前記狭い通路と交差して第2の信
号を伝送するための高い導電性の多結晶シリコンストリ
ップと、該多結晶シリコンストリップの下で前記狭い通
路に配設され且つ前記基板への不純物のイオンインプラ
ンテーションによって形成される第2の導電型の第1の
領域と、前記多結晶シリコンストリップの一方の側で前
記狭い通路の一部分に形成される第2の導電型の第2の
領域と、該第2の領域とは反対の前記多結晶シリコンス
トリップの側で前記狭い通路の一部分に形成される第2
の導電型の第3の領域とを備えており、前記第2の導電
型の第1、第2および第3の領域は前記狭い通路に連続
信号伝送ラインを形成することを特徴とする集積回路。 - (2)前記第2および第3の領域は、前記基板へ第2の
導電型の不純物を拡散することによって形成される実用
新案登録請求の範囲第1項に記載の集積回路。 - (3)前記第1の領域は前記多結晶シリコンストリップ
の形成前にイオンインプランテーションによって形成さ
れ、前記第2および第3の領域は前記多結晶シリコンス
トリップの形成後イオンインプランテーションによって
形成される実用新案登録請求の範囲第1項記載の集積回
路。 - (4)前記第1の導電型はP型であり、前記第2の導電
型はN型である実用新案登録請求の範囲第1楢に記載の
集積回路。 - (5)前記第1の導電型はN型であり前記第2の導 ゛
電型はP型である実用新案登録請求の範囲第1項番と記
載の集積回路。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US81636577A | 1977-07-18 | 1977-07-18 | |
US816365 | 1977-07-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59112944U true JPS59112944U (ja) | 1984-07-30 |
Family
ID=25220405
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8760878A Pending JPS5496384A (en) | 1977-07-18 | 1978-07-18 | Method of and structure for crossing information signal for ic |
JP1983183901U Pending JPS59112944U (ja) | 1977-07-18 | 1983-11-30 | 集積回路 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8760878A Pending JPS5496384A (en) | 1977-07-18 | 1978-07-18 | Method of and structure for crossing information signal for ic |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JPS5496384A (ja) |
DE (1) | DE2831523A1 (ja) |
FR (1) | FR2398386A1 (ja) |
GB (1) | GB2001472B (ja) |
IT (1) | IT1097967B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5550652A (en) * | 1978-09-19 | 1980-04-12 | Agency Of Ind Science & Technol | Composite element adjusting method by ion beam |
US4381595A (en) * | 1979-10-09 | 1983-05-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Process for preparing multilayer interconnection |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3921282A (en) * | 1971-02-16 | 1975-11-25 | Texas Instruments Inc | Insulated gate field effect transistor circuits and their method of fabrication |
US3751722A (en) * | 1971-04-30 | 1973-08-07 | Standard Microsyst Smc | Mos integrated circuit with substrate containing selectively formed resistivity regions |
JPS5947464B2 (ja) * | 1974-09-11 | 1984-11-19 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
US4013489A (en) * | 1976-02-10 | 1977-03-22 | Intel Corporation | Process for forming a low resistance interconnect in MOS N-channel silicon gate integrated circuit |
US4035198A (en) * | 1976-06-30 | 1977-07-12 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating field effect transistors having self-registering electrical connections between gate electrodes and metallic interconnection lines, and fabrication of integrated circuits containing the transistors |
-
1978
- 1978-07-17 IT IT25819/78A patent/IT1097967B/it active
- 1978-07-17 FR FR7821183A patent/FR2398386A1/fr active Granted
- 1978-07-18 GB GB7830229A patent/GB2001472B/en not_active Expired
- 1978-07-18 DE DE19782831523 patent/DE2831523A1/de not_active Ceased
- 1978-07-18 JP JP8760878A patent/JPS5496384A/ja active Pending
-
1983
- 1983-11-30 JP JP1983183901U patent/JPS59112944U/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IT1097967B (it) | 1985-08-31 |
FR2398386A1 (fr) | 1979-02-16 |
GB2001472A (en) | 1979-01-31 |
JPS5496384A (en) | 1979-07-30 |
DE2831523A1 (de) | 1979-02-01 |
IT7825819A0 (it) | 1978-07-17 |
GB2001472B (en) | 1982-02-17 |
FR2398386B1 (ja) | 1984-03-23 |
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