JPS5881961U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS5881961U
JPS5881961U JP17637481U JP17637481U JPS5881961U JP S5881961 U JPS5881961 U JP S5881961U JP 17637481 U JP17637481 U JP 17637481U JP 17637481 U JP17637481 U JP 17637481U JP S5881961 U JPS5881961 U JP S5881961U
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JP
Japan
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metal wiring
polycrystalline silicon
semiconductor equipment
semiconductor device
input
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Pending
Application number
JP17637481U
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English (en)
Inventor
室　英夫
重夫 星野
Original Assignee
日産自動車株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図イ９口は従来の半導体装置を示し、イは平面図、
口はイのＡ−Ａ断面図、第２図イ９口は本考案の一実施
例を示し、イは平面図、口はイのＡ−Ａ断面図。 符号の説明、１・・・入力パッド用金属配線、２゜２ａ
・・・コンタクト部、３・・・多結晶シリコン抵抗層、
４．６・・・シリコン酸化物層、７・・・ゲート用金属
配線、８・・・高抵抗多結晶シリコン層。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 制御信号を入力する入力パッド用金属配線と、制御され
    る半導体素子と該金属配線との間に入力保護抵抗層を有
    する半導体装置において、前記入力保護抵抗層が多結晶
    シリコン絶縁層内に形成され、前記入力パッド用金属配
    線が前記多結晶シリコン絶縁層上に積層形成されている
    ことを特徴とする半導体装置。　　　　゛
JP17637481U 1981-11-27 1981-11-27 半導体装置 Pending JPS5881961U (ja)

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JP17637481U JPS5881961U (ja) 1981-11-27 1981-11-27 半導体装置

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JPS5881961U true JPS5881961U (ja) 1983-06-03

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ID=29969324

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