JPS6146755U - 半導体デバイス - Google Patents

半導体デバイス

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Publication number
JPS6146755U
JPS6146755U JP13152984U JP13152984U JPS6146755U JP S6146755 U JPS6146755 U JP S6146755U JP 13152984 U JP13152984 U JP 13152984U JP 13152984 U JP13152984 U JP 13152984U JP S6146755 U JPS6146755 U JP S6146755U
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JP
Japan
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semiconductor device
electrode
amorphous silicon
silicon layer
insulating layer
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Pending
Application number
JP13152984U
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English (en)
Inventor
力 石田
Original Assignee
株式会社リコー
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Publication date
Application filed by 株式会社リコー filed Critical 株式会社リコー
Priority to JP13152984U priority Critical patent/JPS6146755U/ja
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  • Local Oxidation Of Silicon (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の第一の実施例を示す断面図、第2図
はこの考案の第二の実施例を示す断面図、第3図は平面
図、第4図は回路図、第5図は第1図に対応する従来例
を示す断面図、第6図は第2図に対応する従来例を示す
断面図であ5。 4〜6・・・・・・アモルファスシリコン層、7・・・
・・・酸化アルミニウム層(電気絶縁層)、8・・・・
・・電極、11・・・・・・アモルファスシリコンJW
、12・・・・・・酸化シリコン層(電気絶縁層)、1
3・・・・・・電極。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. アモルファスシリコン層と電極とを備えた半導体デバイ
    スにおいて、前記アモルファスシリコン層、と前記電極
    とを300人以下の厚さの電気絶縁層を介して接触させ
    たことを特徴とする半導体デバイス。
JP13152984U 1984-08-30 1984-08-30 半導体デバイス Pending JPS6146755U (ja)

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JP13152984U JPS6146755U (ja) 1984-08-30 1984-08-30 半導体デバイス

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JP13152984U JPS6146755U (ja) 1984-08-30 1984-08-30 半導体デバイス

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JPS6146755U true JPS6146755U (ja) 1986-03-28

Family

ID=30690113

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JP13152984U Pending JPS6146755U (ja) 1984-08-30 1984-08-30 半導体デバイス

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