JPS59146969U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS59146969U
JPS59146969U JP4143783U JP4143783U JPS59146969U JP S59146969 U JPS59146969 U JP S59146969U JP 4143783 U JP4143783 U JP 4143783U JP 4143783 U JP4143783 U JP 4143783U JP S59146969 U JPS59146969 U JP S59146969U
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JP
Japan
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semiconductor equipment
polycrystalline silicon
silicon fuse
fuse
quarter
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JP4143783U
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JPH0132363Y2 (ja
Inventor
和夫 小笠原
Original Assignee
日本電気株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図ａおよびｂは階段的調整の原理図、第２図は本考
案の第１の実施例の平面説明図、第３図は本考案の第２
の実施例の平面説明図をそれぞれ示す。 １．２・・・・・・端子、３．　４．　５．　６・・・
・・・抵抗、７゜８．９・・・・・・切断部、２１．　
２２．　３１．　３２・・・・・・引き出し導体、２３
．２４，３３．３４・・・・・・コンタクト、２５．３
５・・・・・・多結晶シリコン。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 多結晶シリコン・ヒユーズにおいて、前記多結晶シリコ
    ン・ヒユーズの金属導体とのコンタクト抵抗が多結晶シ
    リコン゛・ヒユーズの抵抗値の４分の１以下としたこと
    を特徴とする半導体装置。
JP4143783U 1983-03-23 1983-03-23 半導体装置 Granted JPS59146969U (ja)

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JP4143783U JPS59146969U (ja) 1983-03-23 1983-03-23 半導体装置

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JP4143783U JPS59146969U (ja) 1983-03-23 1983-03-23 半導体装置

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JPS59146969U true JPS59146969U (ja) 1984-10-01
JPH0132363Y2 JPH0132363Y2 (ja) 1989-10-03

Family

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011009745A (ja) * 2009-06-29 2011-01-13 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 非等長コンタクトを用いた電気的にプログラム可能なヒューズ及びその製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5772367A (en) * 1980-10-24 1982-05-06 Toshiba Corp Fusing type semiconductor device
JPS5968946A (ja) * 1982-10-12 1984-04-19 Fujitsu Ltd 半導体装置

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Publication number Publication date
JPH0132363Y2 (ja) 1989-10-03

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