JPS60149148U - 多層配線を有する半導体装置 - Google Patents
多層配線を有する半導体装置Info
- Publication number
- JPS60149148U JPS60149148U JP3539784U JP3539784U JPS60149148U JP S60149148 U JPS60149148 U JP S60149148U JP 3539784 U JP3539784 U JP 3539784U JP 3539784 U JP3539784 U JP 3539784U JP S60149148 U JPS60149148 U JP S60149148U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- multilayer wiring
- semiconductor device
- semiconductor
- electrode
- Prior art date
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- Pending
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Landscapes
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は本考案の一実施例を示す縦断面図、第２図は第
１図の■−■線断面図である。 ５・・・半導体領域、６・・・抵抗領域、７・・・第１
の絶縁層、８・・・第１電極層、１０・・・第２の絶縁
層、・１１・・・第２電極層。 ７
１図の■−■線断面図である。 ５・・・半導体領域、６・・・抵抗領域、７・・・第１
の絶縁層、８・・・第１電極層、１０・・・第２の絶縁
層、・１１・・・第２電極層。 ７
Claims (1)
- 所望の回路素子を形成した半導体層と、この半導体層表
面上に設けた第１の絶縁層上に配設された第１電極層と
、この第１電極層を被覆し且つ前記第１の絶縁層上に設
けた第２の絶縁層と、この第２の絶縁層上に配設された
第２電極層とを具備する多層配線を有する半導体装置に
於いて、前記半導体層内に抵抗領域が形成された抵抗素
子としての半導体領域上を、前記第１電極層にて被覆す
ると共に、前記第２電極層にて前記抵抗領域あ電極取り
出しを行うことを特徴とする多層配線を有する半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3539784U JPS60149148U (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | 多層配線を有する半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3539784U JPS60149148U (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | 多層配線を有する半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60149148U true JPS60149148U (ja) | 1985-10-03 |
Family
ID=30539636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3539784U Pending JPS60149148U (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | 多層配線を有する半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60149148U (ja) |
-
1984
- 1984-03-12 JP JP3539784U patent/JPS60149148U/ja active Pending
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