JPS6127351U - 半導体装置のコンタクト構造 - Google Patents

半導体装置のコンタクト構造

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JPS6127351U
JPS6127351U JP11162184U JP11162184U JPS6127351U JP S6127351 U JPS6127351 U JP S6127351U JP 11162184 U JP11162184 U JP 11162184U JP 11162184 U JP11162184 U JP 11162184U JP S6127351 U JPS6127351 U JP S6127351U
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JP
Japan
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utility
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conductive material
substrate
insulating layer
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Application number
JP11162184U
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English (en)
Inventor
益充 猪野
Original Assignee
株式会社リコー
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のコンタクト構造を示した断面図、第２図
は本考案コンタクト構造の１実施例を示した断面図、第
３図乃至第８図は本考案コンタト構造を製造する１実施
例の各工程における状態を示した各断面図、である。 ′ （符号の説明）、１：基板、２：ドープ領域、３：
絶縁層、４：電極層、５：非晶質半導体領域。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 １ 導電性領域が形成された基板と、前記基板上に被着
    形成され前記導電性領域に整合された開口を設けた絶縁
    層と、前記開口内に充填して設′けられた非品質導電性
    物質と、前記絶縁層上に延在し前記非晶質導電性物質に
    接触して設けられた電極層とを有することを特徴とする
    半導体装置のコンタクト構造。 ２ 実用新案登録請求の範囲第１項に邦いて、前記導電
    性領域が前記基板を所定の極性の不純物でドープして形
    成されていることを特徴とする構造。 ３ 実用新案登録請求の範囲第２項において、前記非品
    質導電性物質が前記導電性領域と同一の極性の不純物で
    ドープされていることを特徴とする構造。 ４ 実用新案登録請求め範囲第３項において、前記非品
    質導電性物質が非晶質シリコンであることを特徴とする
    構造。
JP11162184U 1984-07-25 1984-07-25 半導体装置のコンタクト構造 Pending JPS6127351U (ja)

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