JPS58159757U - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS58159757U JPS58159757U JP5775982U JP5775982U JPS58159757U JP S58159757 U JPS58159757 U JP S58159757U JP 5775982 U JP5775982 U JP 5775982U JP 5775982 U JP5775982 U JP 5775982U JP S58159757 U JPS58159757 U JP S58159757U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- silicon substrate
- impurity layer
- semiconductor equipment
- electrode
- Prior art date
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- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は本考案半導体装置の断面図、第２図乃至第４図
は本考案半導体装置の電極配線形成工程を示す断面図で
ある。 １・・・・・・シリコン基板、３．３・・・・・・不純
物層、６・・・・・・層間絶縁膜、７，７・・・・・・
コンタクトホール、８．８・・・・・・Ａｌ−３ｉ電極
、９，９・・・・・・Ａ１配線。
は本考案半導体装置の電極配線形成工程を示す断面図で
ある。 １・・・・・・シリコン基板、３．３・・・・・・不純
物層、６・・・・・・層間絶縁膜、７，７・・・・・・
コンタクトホール、８．８・・・・・・Ａｌ−３ｉ電極
、９，９・・・・・・Ａ１配線。
Claims (1)
- シリコン基板と、このシリコン基板に形成された不純物
層と、前記シリコン基板表面（こ設けられた絶縁膜と、
前記不純物層を露出すべく絶縁膜に形成されたコンタク
トホールと、このコンタクトホールを介して不純物層と
オーミックコンタクトを採るように設けられたＡｌ−３
ｉ電極と、このＡｌ−３ｉ電極と接し前記絶縁膜上に延
在したＡ１配線とから成る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5775982U JPS58159757U (ja) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5775982U JPS58159757U (ja) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58159757U true JPS58159757U (ja) | 1983-10-25 |
Family
ID=30068185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5775982U Pending JPS58159757U (ja) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58159757U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5249767A (en) * | 1975-10-20 | 1977-04-21 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
-
1982
- 1982-04-20 JP JP5775982U patent/JPS58159757U/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5249767A (en) * | 1975-10-20 | 1977-04-21 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
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