JPS6071153U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6071153U
JPS6071153U JP16212083U JP16212083U JPS6071153U JP S6071153 U JPS6071153 U JP S6071153U JP 16212083 U JP16212083 U JP 16212083U JP 16212083 U JP16212083 U JP 16212083U JP S6071153 U JPS6071153 U JP S6071153U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor
window
conductivity type
semiconductor equipment
polysilicon layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP16212083U
Other languages
English (en)
Inventor
浅利　悟郎
Original Assignee
新日本無線株式会社
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Filing date
Publication date
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Priority to JP16212083U priority Critical patent/JPS6071153U/ja
Publication of JPS6071153U publication Critical patent/JPS6071153U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は拡散により形成した抵抗をトランジスタのエミ
ッタ及びコレクタに電極により接続した従来の半導体装
置の断面図、第２図は第１図の半導体装置の等価回路図
、第３図はポリシリコンを抵抗に利用した別の従来の半
導体装置の断面図、第４図は本考案の一実施例の半導体
装置の断面図、第５ａ図〜第５１図は第４図に示した半
導体装置の製造方法の工程を示す図である。 ３１・・・・・・半導体基板、３２・・・・・・コレク
タ埋込領域、３３，３４・・・・・・埋込領域、３５・
・・・・・エピタキシャル層、３６・・・・・・分離領
域、３７・・・・・・コレクタ引き出し領域、３８．３
９・・・・・・抵抗接続用領域、　　４０・・・・・・
ベース領域、４１・・・・・・エミッタ領域、４２・・
・・・・酸化被膜、４３，４４・・・・・・ポリシリコ
ン層、４５．４６・・・・・・絶縁被膜、４７・・・・
・・窓、４８・・・・・・電極。 ／３３ ０−一二 面讃〒〒ニ］す■〒二〒〒イー３１

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体基板に相互に離れて形成された少なくとも２箇所
    の同一の導電型の半導体部分と、該名手導体部分の一方
    から他方にかけてその上面を覆うよう形晟された絶縁被
    膜と、該絶縁被膜における上記各半導体部分の上面に形
    成された各々の窓と、該窓の一方から他方にかけて形成
    された上記半導体部分と同一の導電型の抵抗としてのポ
    リン、　　リコン層と、該ポリシリコン層を覆う別の絶
    縁被膜とを具備することを特徴とする半導体装置。
JP16212083U 1983-10-20 1983-10-20 半導体装置 Pending JPS6071153U (ja)

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JP16212083U JPS6071153U (ja) 1983-10-20 1983-10-20 半導体装置

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JP16212083U JPS6071153U (ja) 1983-10-20 1983-10-20 半導体装置

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JPS6071153U true JPS6071153U (ja) 1985-05-20

Family

ID=30356097

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009038100A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5448182A (en) * 1977-09-22 1979-04-16 Nec Corp Semiconductor integrated circuit device
JPS54108588A (en) * 1978-02-14 1979-08-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Structure of large-scale integrated circuit chip

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