JPS5929054U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS5929054U
JPS5929054U JP12476682U JP12476682U JPS5929054U JP S5929054 U JPS5929054 U JP S5929054U JP 12476682 U JP12476682 U JP 12476682U JP 12476682 U JP12476682 U JP 12476682U JP S5929054 U JPS5929054 U JP S5929054U
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JP
Japan
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resistor
oxide film
well region
thick oxide
semiconductor equipment
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Application number
JP12476682U
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English (en)
Inventor
和夫 小笠原
Original Assignee
日本電気株式会社
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図ａおよびｂは本考案の実施例の平面説明図、およ
び断面説明図をそれぞれ示す。 ２．５・・、・・・・引出し導体、３．６・・・・・・
コンタダト、４・・・・・・ウェル領域抵抗体、７・・
・・・・厚い酸化膜、８・・・・・・シリコン基板、９
．　９’・・・・・・２層の多結晶シリコン単位抵抗体
、１０・・・・・・拡散層、１１・・・・・・相互接続
導体。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. シリコン基板と逆導電形不純物により形成されるウェル
    領域を抵抗体となし、前記ウェル領域上に厚い酸化膜を
    形成し、前記厚い酸化膜上に同一形状の２層の多結晶シ
    リコン単位抵抗体を交互に形成し相互接続を導体を用い
    て行ない抵抗体となしたことを特徴とする半導体装置。
JP12476682U 1982-08-18 1982-08-18 半導体装置 Pending JPS5929054U (ja)

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JP12476682U JPS5929054U (ja) 1982-08-18 1982-08-18 半導体装置

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JP12476682U JPS5929054U (ja) 1982-08-18 1982-08-18 半導体装置

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JPS5929054U true JPS5929054U (ja) 1984-02-23

Family

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JP12476682U Pending JPS5929054U (ja) 1982-08-18 1982-08-18 半導体装置

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JP (1) JPS5929054U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006190709A (ja) * 2004-12-28 2006-07-20 Mitsumi Electric Co Ltd 半導体装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006190709A (ja) * 2004-12-28 2006-07-20 Mitsumi Electric Co Ltd 半導体装置

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