JPS58177944U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS58177944U
JPS58177944U JP7478182U JP7478182U JPS58177944U JP S58177944 U JPS58177944 U JP S58177944U JP 7478182 U JP7478182 U JP 7478182U JP 7478182 U JP7478182 U JP 7478182U JP S58177944 U JPS58177944 U JP S58177944U
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JP
Japan
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metal wiring
insulating film
semiconductor equipment
film covering
semiconductor
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Application number
JP7478182U
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English (en)
Inventor
日下 輝雄
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日本電気株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の実施例を示す断面図である。 第2図は本考案の効果を説明する為の断面図である。 なお図において、1・・・・・・半導体単結晶基板、2
・・:・・・絶縁膜、3・・・・・・第1層金属配線、
4・・・・・・層面絶縁膜、5・・・・・・第2層金属
配線、である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体単結晶基板を被覆する第1の絶縁膜表面上に形成
    した第1の金属配線と該第1金属配線を被覆する第2の
    絶縁膜と該第2絶縁膜表面上に形成した第2の金属配線
    とを有し、かつ、第1金属配線と第2金属配線とが交叉
    する半導体装置に、おいて、第1金属配線の角部分をな
    だらかにしたことを特徴とする半導体装置。
JP7478182U 1982-05-21 1982-05-21 半導体装置 Pending JPS58177944U (ja)

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JP7478182U JPS58177944U (ja) 1982-05-21 1982-05-21 半導体装置

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JP7478182U JPS58177944U (ja) 1982-05-21 1982-05-21 半導体装置

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JPS58177944U true JPS58177944U (ja) 1983-11-28

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JP7478182U Pending JPS58177944U (ja) 1982-05-21 1982-05-21 半導体装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04129227A (ja) * 1990-09-20 1992-04-30 Nec Corp 半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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