JPS58444U - 半導体装置の多層配線構造 - Google Patents

半導体装置の多層配線構造

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JPS58444U
JPS58444U JP9487981U JP9487981U JPS58444U JP S58444 U JPS58444 U JP S58444U JP 9487981 U JP9487981 U JP 9487981U JP 9487981 U JP9487981 U JP 9487981U JP S58444 U JPS58444 U JP S58444U
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JP
Japan
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layer
multilayer wiring
wiring structure
semiconductor devices
crosses
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JP9487981U
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Inventor
義英 杉浦
Original Assignee
富士通株式会社
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本考案にカミる一実施例の平面図
と断面図、第3図は同じく他の一実施例の断面図である
。 図中、1,1′は第1層の配線層、2.2′は第2層、
3.3′は第3層、4は絶縁膜、10は半導体基板を示
す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体素子上面に設ける多層配線として、下層の第1層
    に対し、上層の第2層は直角に交叉する配線層とし、更
    に上層の第3層は第2層に対して直角に交叉し、且つ第
    1層に対して平行となるマトリックス状の配線構造にお
    いて、第3層を第1層相互間の間隙の中心位置に設ける
    ことを特徴とする半導体装置の多層配線構造。
JP9487981U 1981-06-25 1981-06-25 半導体装置の多層配線構造 Pending JPS58444U (ja)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5778154A (en) * 1981-04-15 1982-05-15 Hitachi Ltd Semiconductor device with multilayer channel

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5778154A (en) * 1981-04-15 1982-05-15 Hitachi Ltd Semiconductor device with multilayer channel

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