JPS592160U - 半導体装置の接続構造 - Google Patents

半導体装置の接続構造

Info

Publication number
JPS592160U
JPS592160U JP9717082U JP9717082U JPS592160U JP S592160 U JPS592160 U JP S592160U JP 9717082 U JP9717082 U JP 9717082U JP 9717082 U JP9717082 U JP 9717082U JP S592160 U JPS592160 U JP S592160U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
connection structure
semiconductor devices
thin film
semiconductor
semiconductor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9717082U
Other languages
English (en)
Inventor
伊沢 暢哉
樋口 泰之
Original Assignee
ロ−ム株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ロ−ム株式会社 filed Critical ロ−ム株式会社
Priority to JP9717082U priority Critical patent/JPS592160U/ja
Publication of JPS592160U publication Critical patent/JPS592160U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は従来の半導体装置の接続構造を示す断面図、第
2図はこの考案の実施例を示す断面図である。 2・・・半導体基板、8・・・トランジスタ、14゜1
8・・・薄膜抵抗、20・・・配線導体。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体素子を形成した半導体基板の酸化膜の表面に1又
    は2以上の薄膜抵抗を形成し、この薄膜抵抗と半導体素
    子とを配線導体で電気的に接続することを特徴とする半
    導体装置の接続構造。
JP9717082U 1982-06-28 1982-06-28 半導体装置の接続構造 Pending JPS592160U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9717082U JPS592160U (ja) 1982-06-28 1982-06-28 半導体装置の接続構造

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9717082U JPS592160U (ja) 1982-06-28 1982-06-28 半導体装置の接続構造

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS592160U true JPS592160U (ja) 1984-01-09

Family

ID=30231252

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9717082U Pending JPS592160U (ja) 1982-06-28 1982-06-28 半導体装置の接続構造

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS592160U (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5214384A (en) * 1975-07-24 1977-02-03 Nippon Denso Co Ltd Input resistor for protection of semiconductor device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5214384A (en) * 1975-07-24 1977-02-03 Nippon Denso Co Ltd Input resistor for protection of semiconductor device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS58446U (ja) 混成集積回路装置
JPS592160U (ja) 半導体装置の接続構造
JPS592159U (ja) トランジスタ装置
JPS5846460U (ja) 混成集積回路装置
JPS60109354U (ja) 混成集積回路装置
JPS6115755U (ja) 抵抗体内蔵半導体装置
JPS59109966U (ja) 半導体装置のバイアス印加試験用負荷抵抗体
JPS58180661U (ja) 電子回路基板
JPS6094836U (ja) 半導体装置
JPS5918442U (ja) 混成集積回路装置
JPS5996853U (ja) 半導体集積回路装置における半導体抵抗
JPS5954960U (ja) 半導体装置の電極構造
JPS5993168U (ja) 電気回路装置
JPS60136155U (ja) 半導体装置
JPS58193669U (ja) Hic基板
JPS6039255U (ja) 集積素子
JPS5883149U (ja) 半導体装置
JPS6088549U (ja) アナログ・デイジタル混在集積回路
JPS5987101U (ja) 低抵抗厚膜素子
JPS5817726U (ja) キ−回路基板
JPS60163744U (ja) 半導体集積回路装置
JPS5812949U (ja) 半導体集積回路の多層配線構造
JPS60149148U (ja) 多層配線を有する半導体装置
JPS6068649U (ja) 半導体集積回路装置
JPS60144272U (ja) 混成集積回路装置