JPS60153552U - Ｐｎ接合半導体装置 - Google Patents

Ｐｎ接合半導体装置

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Publication number
JPS60153552U
JPS60153552U JP4119884U JP4119884U JPS60153552U JP S60153552 U JPS60153552 U JP S60153552U JP 4119884 U JP4119884 U JP 4119884U JP 4119884 U JP4119884 U JP 4119884U JP S60153552 U JPS60153552 U JP S60153552U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ohmic electrode
type polysilicon
polysilicon layer
semiconductor device
insulating substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP4119884U
Other languages
English (en)
Inventor
鶴岡　泰治
進 柴田
孝史 金森
大坪　かおる
Original Assignee
沖電気工業株式会社
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Publication date
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Priority to JP4119884U priority Critical patent/JPS60153552U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図〜第８図は本発明の一実施例を説明するための工
程断面区である。 １・・・絶縁基板、２・・・高融点金属、３・・・Ｐ型
ポリシリコン層、４・・・ＳｉＯ２層、５・・・コンタ
クトホール、６・・・Ｎ型不純物層、７・・・コンタク
トホール、８・・・Ａ１配線用金属、９・・・第２のオ
ーミック電極。 第６図 ７６２４ 第７図 　８ 第８図

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 絶縁基板と、この絶縁基板上に形成されたＰ型ポリシリ
    コン層と、前記絶縁基板と前記Ｐ型ポリシリコン層との
    間に形成された第１オーミツク電極と、この第１オーミ
    ツク電極の上方にあって前記Ｐ型ポリシリコン層を間に
    介して形成されたＮ型ポリシリコン領域と、前記Ｐ型ポ
    リシリコン層上に積層された絶縁膜と、この絶縁膜のコ
    ンタクトホールを通して前記Ｎ型ポリシリコン領域とオ
    ーミック接触する第２オーミツク電極と、前記第１オー
    ミツク電極から前記絶縁膜表面まで開けられたコンタク
    トホールを通して前記第１オーミツク電極に接続された
    引出し配線材とを備えたことを特徴とするＰＮ接合半導
    体装置。
JP4119884U 1984-03-24 1984-03-24 Ｐｎ接合半導体装置 Pending JPS60153552U (ja)

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JP4119884U JPS60153552U (ja) 1984-03-24 1984-03-24 Ｐｎ接合半導体装置

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JPS60153552U true JPS60153552U (ja) 1985-10-12

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56103474A (en) * 1979-12-13 1981-08-18 Energy Conversion Devices Inc Diode for rom or eeprom
JPS57197860A (en) * 1981-05-29 1982-12-04 Toshiba Corp Semiconductor device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56103474A (en) * 1979-12-13 1981-08-18 Energy Conversion Devices Inc Diode for rom or eeprom
JPS57197860A (en) * 1981-05-29 1982-12-04 Toshiba Corp Semiconductor device

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