JPS60181057U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS60181057U
JPS60181057U JP5875685U JP5875685U JPS60181057U JP S60181057 U JPS60181057 U JP S60181057U JP 5875685 U JP5875685 U JP 5875685U JP 5875685 U JP5875685 U JP 5875685U JP S60181057 U JPS60181057 U JP S60181057U
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JP
Japan
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semiconductor equipment
layer
semiconductor
opening
insulating film
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Application number
JP5875685U
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Inventor
優 中村
Original Assignee
日本電気株式会社
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
図は本考案のビームリード型半導体装置の断面図である
。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・エピタキ
シャル層、３・・・・・・不純物拡散領域、４・・・・
・−３ｉｎ２膜、５・・・・・−３ｉ３Ｎ、膜、６・・
・・・・ＰｔＳｉ層、７・・・・・−Ｔｉ層、８・・・
・・・ｐｔ層、９・・・・・・Ａｕ層、Ｗｌ・・・・・
・ＳｉＯ２膜の拡散時の開孔部幅、Ｗ２・・・・・・Ｓ
ｉＯ□膜の拡散後の電極開孔部幅、Ｗ３・・・・・・５
ｊ３Ｎ４膜被覆後の電極開孔部幅。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体基板の一主面上に被着された絶縁膜に段差のある
    開孔部を有し、該開孔部内の前記絶縁膜と前記半導体基
    板表面とのみを覆って前記半導体とオーミック接触する
    合金層が形成され、合金層を介して金属膜回路配線が施
    されていることを特徴とする半導体装置。
JP5875685U 1985-04-18 1985-04-18 半導体装置 Pending JPS60181057U (ja)

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JP5875685U JPS60181057U (ja) 1985-04-18 1985-04-18 半導体装置

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JP5875685U Pending JPS60181057U (ja) 1985-04-18 1985-04-18 半導体装置

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4926461A (ja) * 1972-07-07 1974-03-08
JPS4969088A (ja) * 1972-11-08 1974-07-04

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4926461A (ja) * 1972-07-07 1974-03-08
JPS4969088A (ja) * 1972-11-08 1974-07-04

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