JPS5849640Y2 - 半導体装置の電極構造 - Google Patents
半導体装置の電極構造Info
- Publication number
- JPS5849640Y2 JPS5849640Y2 JP1977134594U JP13459477U JPS5849640Y2 JP S5849640 Y2 JPS5849640 Y2 JP S5849640Y2 JP 1977134594 U JP1977134594 U JP 1977134594U JP 13459477 U JP13459477 U JP 13459477U JP S5849640 Y2 JPS5849640 Y2 JP S5849640Y2
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- JP
- Japan
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- electrode
- electrode layer
- semiconductor
- semiconductor substrate
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は安定した動作特性を呈する電極を半田付は可能
な電極材料で構成する半導体装置の電極構造に関するも
のである。
な電極材料で構成する半導体装置の電極構造に関するも
のである。
一般に半導体素子の電極として、半田接続を必要としな
い場合は第１図に示す如く半導体１の電極導出領域上に
Ａ１膜２を被着して電極とし、また半田接続を必要とす
る場合には第２図に示す如く半導体基板１に一旦Ａｌ膜
２を形成した後更に半田接続が可能なＡｇ膜３を被着し
て電極を構成している。
い場合は第１図に示す如く半導体１の電極導出領域上に
Ａ１膜２を被着して電極とし、また半田接続を必要とす
る場合には第２図に示す如く半導体基板１に一旦Ａｌ膜
２を形成した後更に半田接続が可能なＡｇ膜３を被着し
て電極を構成している。
ここで４は電極導出領域以外の半導体基板表面を被うＳ
ｉＯ２等の絶縁膜である。
ｉＯ２等の絶縁膜である。
上記半導体素子がショットキーバリアダイオードの如く
、半導体基板との関係で所望の特性を得ることが要求さ
れる場合、電極材料として限られた特定の電極材料例え
ばＡＩ電極を利用することが好ましく、また第２図に示
したようなＡｌ−Ａｇ構造の電極を適用した場合には第
１表に示した他の整流器構造と照らして明らかな如く、
順方向の立上り電圧ＶＦが著しく損われる欠点があり、
半田付は可能な電極をもった半導体装置を得ることが困
難であった。
、半導体基板との関係で所望の特性を得ることが要求さ
れる場合、電極材料として限られた特定の電極材料例え
ばＡＩ電極を利用することが好ましく、また第２図に示
したようなＡｌ−Ａｇ構造の電極を適用した場合には第
１表に示した他の整流器構造と照らして明らかな如く、
順方向の立上り電圧ＶＦが著しく損われる欠点があり、
半田付は可能な電極をもった半導体装置を得ることが困
難であった。
上記特性の劣化は製造過程でＡｌ−Ａｇが合金化して良
好なショットキーバリアが得られないことに原因するも
のと考えられる。
好なショットキーバリアが得られないことに原因するも
のと考えられる。
接続端子が導出されたパッケージに実装して使用されて
いた。
いた。
そのため半導体装置の製造が頻雑になると共に用途が限
られたものになる惧れがあった。
られたものになる惧れがあった。
本考案は上記従来装置の問題的に鑑みてなされたもので
、簡単な構成を付加するのみで動作特性を劣化させるこ
となく、半田付けが可能な電極構造を備えた半導体装置
を提供するものである。
、簡単な構成を付加するのみで動作特性を劣化させるこ
となく、半田付けが可能な電極構造を備えた半導体装置
を提供するものである。
まず実施例としてショットキーバリアダイオードの電極
構造を挙げて説明する。
構造を挙げて説明する。
第３図において１はシリコン半導体基板で、該基板１に
はＰ塑成いはＮ型不純物が所定の濃度に導入されている
。
はＰ塑成いはＮ型不純物が所定の濃度に導入されている
。
該基板１の主表面はＳｉＯ２等の絶縁被膜４で被われて
外部環境から保護されると共に、主表面に形成される配
線等の導電体と基板との電気的短絡を防止する。
外部環境から保護されると共に、主表面に形成される配
線等の導電体と基板との電気的短絡を防止する。
上記基板１のショットキーバリアダイオード形成領域を
被う上記絶縁被膜４の部分は、透孔がエツチング等の処
理によって形成され、基板１の表面が半導体−金属接触
のための電極導出領域５として晒されている。
被う上記絶縁被膜４の部分は、透孔がエツチング等の処
理によって形成され、基板１の表面が半導体−金属接触
のための電極導出領域５として晒されている。
該電極導出領域５及び該電極導出領域周辺の絶縁被膜４
を被って半導体−金属接触のためのＡｌ膜２が第１電極
層として形成されている。
を被って半導体−金属接触のためのＡｌ膜２が第１電極
層として形成されている。
該第１電極層２上の少なくとも電極導出領域５を被う部
分にはＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４等の絶縁層６が設けられ、
第１電極層２と後述する第２の電極層との合金化を阻止
している。
分にはＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４等の絶縁層６が設けられ、
第１電極層２と後述する第２の電極層との合金化を阻止
している。
上記絶縁層６上には更に第２電極層７が形成されている
。
。
該第２電極層７は表面側が半田接続が可能な電極材料、
例えばＡｇ膜７２で形成され、該Ａｇ膜７２一層でも実
施できるが、第１電極層２との密着性及び導電性を考慮
して予め第１電極層２との接着性及び導電性の良好なＡ
Ｉ膜７□で一旦被い、その上を上記Ａｇ膜７２で被って
２層構造にして実施することもできる。
例えばＡｇ膜７２で形成され、該Ａｇ膜７２一層でも実
施できるが、第１電極層２との密着性及び導電性を考慮
して予め第１電極層２との接着性及び導電性の良好なＡ
Ｉ膜７□で一旦被い、その上を上記Ａｇ膜７２で被って
２層構造にして実施することもできる。
上記第２電極層７は第１電極層２と電気的に接続される
ことが必要で、そのため上記絶縁層６は少なくとも電極
導出領域５上を被うだけではなく、第１電極層２と第２
電極層７との電気的接触を得ることができる程度に第１
電極層２の一部を露出させ、その他の基板１表面の大部
分を被って実施することもできる。
ことが必要で、そのため上記絶縁層６は少なくとも電極
導出領域５上を被うだけではなく、第１電極層２と第２
電極層７との電気的接触を得ることができる程度に第１
電極層２の一部を露出させ、その他の基板１表面の大部
分を被って実施することもできる。
同図において８１は基板１の裏面に設けられたＡｌ膜、
８２はＡＩ電極８、上に被着されたＡｇ膜である。
８２はＡＩ電極８、上に被着されたＡｇ膜である。
上記電極構造の半導体素子の順方向立上り電圧は第１表
に示す如＜０．３０Ｖ程度となり、Ａ１電極のみからな
るショットキーバリアダイオードと同程度の特性を得る
ことができる。
に示す如＜０．３０Ｖ程度となり、Ａ１電極のみからな
るショットキーバリアダイオードと同程度の特性を得る
ことができる。
上記実施例はショットキーバリアダイオードを挙げて説
明したが、他の電極構造にも本考案は実施することがで
きる。
明したが、他の電極構造にも本考案は実施することがで
きる。
以上本考案によれば、半導体基板の電極導出領域に被着
した第１電極層上に絶縁層を介して第２電極層を形成す
るため、第２の電極層として第１の電極層にかかわらず
半田接続可能な電極材料を利用することができ、また製
造過程の熱処理等によって、少なくとも電極導出領域の
電極材料の合金化を阻止することができ、特性を劣化さ
せることもなく動作の安定した装置を得ることができる
。
した第１電極層上に絶縁層を介して第２電極層を形成す
るため、第２の電極層として第１の電極層にかかわらず
半田接続可能な電極材料を利用することができ、また製
造過程の熱処理等によって、少なくとも電極導出領域の
電極材料の合金化を阻止することができ、特性を劣化さ
せることもなく動作の安定した装置を得ることができる
。
第１図及び第２図は従来装置の断面図、第３図は本考案
による半導体装置の要部断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・第１電極層
、４・・・・・・絶縁被膜、５・・・・・・電極導出領
域、６・・・・・・絶縁層、７・・・・・・第２電極層
。
による半導体装置の要部断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・第１電極層
、４・・・・・・絶縁被膜、５・・・・・・電極導出領
域、６・・・・・・絶縁層、７・・・・・・第２電極層
。
Claims (1)
- 絶縁被膜で被われた半導体基板と、該半導体基板の絶縁
被着が除去された電極導出領域に、半導体基板に直接被
着させて形成された第１電極層と、該第１電極層上に第
１電極層と一部で電気的接続して形成され且つ半田付は
可能な材料からなる第２電極層と、第１電極層と第２電
極層との間に介在し、少なくとも電極導出領域上の第１
電極層を被って第２電極層との合金化を阻止する絶縁層
とを備えてなる半導体装置の電極構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1977134594U JPS5849640Y2 (ja) | 1977-10-05 | 1977-10-05 | 半導体装置の電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1977134594U JPS5849640Y2 (ja) | 1977-10-05 | 1977-10-05 | 半導体装置の電極構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5460459U JPS5460459U (ja) | 1979-04-26 |
| JPS5849640Y2 true JPS5849640Y2 (ja) | 1983-11-12 |
Family
ID=29104125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1977134594U Expired JPS5849640Y2 (ja) | 1977-10-05 | 1977-10-05 | 半導体装置の電極構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5849640Y2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5126469A (ja) * | 1974-08-29 | 1976-03-04 | Tokyo Shibaura Electric Co |
-
1977
- 1977-10-05 JP JP1977134594U patent/JPS5849640Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5126469A (ja) * | 1974-08-29 | 1976-03-04 | Tokyo Shibaura Electric Co |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5460459U (ja) | 1979-04-26 |
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