JPH03159120A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH03159120A JPH03159120A JP29910989A JP29910989A JPH03159120A JP H03159120 A JPH03159120 A JP H03159120A JP 29910989 A JP29910989 A JP 29910989A JP 29910989 A JP29910989 A JP 29910989A JP H03159120 A JPH03159120 A JP H03159120A
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- Japan
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- conductive material
- contact hole
- semiconductor device
- conductive
- silicon substrate
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Links
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 48
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
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Landscapes
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特にコンタクトホール部
における半導体装置の構造に関する。
における半導体装置の構造に関する。
従来のコンタクトホール部における半導体装置の平面図
を第３図（ａ）に、ｃ−ｃ’線断面図を第３図（ｂ）に
示す。配線用の第２の導電性物質３６は、マスク設計上
、コンタクトホール３５を完全に覆っている。これは、
絶縁膜３３に設けられたコンタクトホール３５を介して
、シリコン基板３１に設けられた不純物領域３２と電気
的に接続された第２の導電性物質３６をエツチングする
時、不純物領域３２がエツチングされないようにする為
である。
を第３図（ａ）に、ｃ−ｃ’線断面図を第３図（ｂ）に
示す。配線用の第２の導電性物質３６は、マスク設計上
、コンタクトホール３５を完全に覆っている。これは、
絶縁膜３３に設けられたコンタクトホール３５を介して
、シリコン基板３１に設けられた不純物領域３２と電気
的に接続された第２の導電性物質３６をエツチングする
時、不純物領域３２がエツチングされないようにする為
である。
第４図（ａ）のように、第２の導電性物質４６の幅が、
コンタクトホール部において、マスク設計上、コンタク
トホール４５の幅より小さい場合には、第２の導電性物
質４６をパターンニングした後、Ｄ−Ｄ’線断面図であ
る第４図（ｂ）に示したように、不純物領域４２がエツ
チングされ、リーク電流が発生する可能性がある。
コンタクトホール部において、マスク設計上、コンタク
トホール４５の幅より小さい場合には、第２の導電性物
質４６をパターンニングした後、Ｄ−Ｄ’線断面図であ
る第４図（ｂ）に示したように、不純物領域４２がエツ
チングされ、リーク電流が発生する可能性がある。
一方、第５図（ａ）のように、第２の導電性物質５６の
幅が、コンタクトホール部において、マスク設計上、コ
ンタクトホール５５の幅より小さくても、Ｅ−Ｅ’線断
面図である第５図（ｂ）に示したように、絶縁膜５３に
設けられたコンタクトホール５５に第１の導電性物質５
４を埋め込めば、シリコン基板５１をエツチングせずに
第２の導電性物質５６をパターンニングすることが可能
であり、シリコン基板５１に設けられた不純物領域５２
と、第２の導電性物質５６は、第１の導電性物質５４を
介して電気的に接続可能である。
幅が、コンタクトホール部において、マスク設計上、コ
ンタクトホール５５の幅より小さくても、Ｅ−Ｅ’線断
面図である第５図（ｂ）に示したように、絶縁膜５３に
設けられたコンタクトホール５５に第１の導電性物質５
４を埋め込めば、シリコン基板５１をエツチングせずに
第２の導電性物質５６をパターンニングすることが可能
であり、シリコン基板５１に設けられた不純物領域５２
と、第２の導電性物質５６は、第１の導電性物質５４を
介して電気的に接続可能である。
上述した従来の半導体装置は、第２の導電性物質をパタ
ーンニングする際に、第１の導電性物質がエツチングさ
れ、エツチング条件によっては、第５図（ｃ）に示した
ように第１の導電性物質５４がサイドエッチされ、第２
の導電性物質５６と不純物領域５２が導通不良となる可
能性があるという欠点がある。
ーンニングする際に、第１の導電性物質がエツチングさ
れ、エツチング条件によっては、第５図（ｃ）に示した
ように第１の導電性物質５４がサイドエッチされ、第２
の導電性物質５６と不純物領域５２が導通不良となる可
能性があるという欠点がある。
本発明の半導体装置は、一導電型シリコン基板の一主面
に設けられた逆導電型の不純物領域と、シリコン基板上
に設けられた絶縁膜と、絶縁膜に設けられ、第１の導電
性物質が埋め込まれたコンタクトホールと、第１の導電
性物質を介して不純物領域と電気的に接続された配線用
の第２の導電性物質とを有し、第１の導電性物質の露出
部分及び第２の導電性物質を選択的に被覆するように、
第３の導電性物質が設けられていることを特徴とする。
に設けられた逆導電型の不純物領域と、シリコン基板上
に設けられた絶縁膜と、絶縁膜に設けられ、第１の導電
性物質が埋め込まれたコンタクトホールと、第１の導電
性物質を介して不純物領域と電気的に接続された配線用
の第２の導電性物質とを有し、第１の導電性物質の露出
部分及び第２の導電性物質を選択的に被覆するように、
第３の導電性物質が設けられていることを特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例の平面図である。
例えばアルミの第２の導電性物質１６は、コンタクトホ
ール部で、コンタクトホール１５よりも、マスク設計上
幅が小さい。第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ’線
断面図である。例えばＰ型シリコン基板１１の一生表面
にＮ型の不純物領域１２と、シリコン基板１１上に設け
られた例えば膜厚１μｍの例えば酸化シリコンの絶縁膜
１３があり、絶縁膜１３に設けら九、例えば燐をドープ
した多結晶シリコンの第１の導電性物質１４が埋め込ま
れたコンタクトホール１５があり、第１の導電性物質１
４を介して不純物領域１２と電気的に接続された第２の
導電性物質１６があり、例えば膜厚２０００人のタング
ステンの第３の導電性物質１７が第１の導電性物質１４
の露出部分及び第２の導電性物質１７を選択的に被覆し
ている。
ール部で、コンタクトホール１５よりも、マスク設計上
幅が小さい。第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ’線
断面図である。例えばＰ型シリコン基板１１の一生表面
にＮ型の不純物領域１２と、シリコン基板１１上に設け
られた例えば膜厚１μｍの例えば酸化シリコンの絶縁膜
１３があり、絶縁膜１３に設けら九、例えば燐をドープ
した多結晶シリコンの第１の導電性物質１４が埋め込ま
れたコンタクトホール１５があり、第１の導電性物質１
４を介して不純物領域１２と電気的に接続された第２の
導電性物質１６があり、例えば膜厚２０００人のタング
ステンの第３の導電性物質１７が第１の導電性物質１４
の露出部分及び第２の導電性物質１７を選択的に被覆し
ている。
第２図（ａ）は本発明の第２の実施例の平面図である。
第２図（ｂ）はＢ−Ｂ’線断面図である。この実施例で
は第１の導電性物質２４にタングステンを用いている為
、例えばアルミの第２の導電性物質２６とのエツチング
の選択比を大きくできる利点がある。
は第１の導電性物質２４にタングステンを用いている為
、例えばアルミの第２の導電性物質２６とのエツチング
の選択比を大きくできる利点がある。
以上説明したように本発明は、第１の導電性物質の露出
部分及び第２の導電性物質を選択的に被覆するように、
第３の導電性物質を形成することにより、不純物領域と
、第２の導電性物質との電気的接続不良が回避できる。
部分及び第２の導電性物質を選択的に被覆するように、
第３の導電性物質を形成することにより、不純物領域と
、第２の導電性物質との電気的接続不良が回避できる。
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例の平面図、第１図
（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ’線断面図、Ｍ２図（ａ
）は本発明の第２の実施例の平面図、第２図（ｂ）は第
１図（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図、第３図（ａ）。 （ｂ）、第４図（ａ） 、 （ｂ）、第５図（ａ）〜（
ｃ）は従来のコンタクトホール部における半導体装置の
平面図又は断面図である。第３図（ｂ）、第４図（ｂ）
、第５図（ｂ） 、 （ｃ）はそれぞれｃ−ｃ’線、Ｄ
−Ｄ’線、ＥＥ′線断面図である。 １１．２１，３１，４１．５１・・・・・・シリコン基
板、１２，２２，３２，４２．５２・・・・・・不純物
領域、１３，２３，３３，４３．５３・・・・・・絶縁
膜、１４．２４．５４・・・・・・第１の導電性物質、
１５゜２５．３５，４５．５５・・・・・・コンタクト
ホール、１６゜ ２６゜ ３６゜ ４６゜ ５６・・・・・・第２の導電性 物質、 １７゜ ２７・・・・・・第３の導電性物質。
（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−Ａ’線断面図、Ｍ２図（ａ
）は本発明の第２の実施例の平面図、第２図（ｂ）は第
１図（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図、第３図（ａ）。 （ｂ）、第４図（ａ） 、 （ｂ）、第５図（ａ）〜（
ｃ）は従来のコンタクトホール部における半導体装置の
平面図又は断面図である。第３図（ｂ）、第４図（ｂ）
、第５図（ｂ） 、 （ｃ）はそれぞれｃ−ｃ’線、Ｄ
−Ｄ’線、ＥＥ′線断面図である。 １１．２１，３１，４１．５１・・・・・・シリコン基
板、１２，２２，３２，４２．５２・・・・・・不純物
領域、１３，２３，３３，４３．５３・・・・・・絶縁
膜、１４．２４．５４・・・・・・第１の導電性物質、
１５゜２５．３５，４５．５５・・・・・・コンタクト
ホール、１６゜ ２６゜ ３６゜ ４６゜ ５６・・・・・・第２の導電性 物質、 １７゜ ２７・・・・・・第３の導電性物質。
Claims (2)
- （１）一導電型シリコン基板の一主面に設けられた逆導
電型の不純物領域と、前記シリコン基板上に設けられた
絶縁膜と、前記絶縁膜に設けられ、第１の導電性物質が
埋め込まれたコンタクトホールと、前記第１の導電性物
質を介して前記不純物領域と電気的に接続された配線用
の第２の導電性物質とを有する半導体装置において、前
記第１の導電性物質の露出部分及び前記第２の導電性物
質を選択的に被覆するように、第３の導電性物質が設け
られていることを特徴とする半導体装置 - （２）前記コンタクトホール部における前記第２の導電
性物質の幅が、コンタクトホールの幅よりも、マクス設
計上大きくない請求項１記載の半導体装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29910989A JPH03159120A (ja) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29910989A JPH03159120A (ja) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03159120A true JPH03159120A (ja) | 1991-07-09 |
Family
ID=17868249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29910989A Pending JPH03159120A (ja) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03159120A (ja) |
-
1989
- 1989-11-16 JP JP29910989A patent/JPH03159120A/ja active Pending
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