JPH0122989B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0122989B2 JPH0122989B2 JP55062964A JP6296480A JPH0122989B2 JP H0122989 B2 JPH0122989 B2 JP H0122989B2 JP 55062964 A JP55062964 A JP 55062964A JP 6296480 A JP6296480 A JP 6296480A JP H0122989 B2 JPH0122989 B2 JP H0122989B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- capacitor
- electrode
- insulating film
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 27
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電極の配線引出構造に関し、特に、コ
ンデンサの電極配線引出し構造の改善された半導
体装置に関するものである。
ンデンサの電極配線引出し構造の改善された半導
体装置に関するものである。
従来、一般式に半導体集積回路上のコンデンサ
は第１図に示すように形成されている。第１図Ａ
およびＢにおいて電極２に接続されているN+拡
散領域７と電極１との間にコンデンサが形成さ
れ、その間の酸化膜６が誘導体として働く。ここ
において、電極１を他の回路素子へ接続する場
合、又は外部端子へ接続する場合、引き出し用の
配線は必ず、Ｎ型半導体基板３上の酸化膜４や
N+拡散領域７上の酸化膜５，６の上を通る。そ
れぞれ厚さの異なる酸化膜４，５，６（例えば、
酸化膜４は9000Å、酸化膜５は5000Å、酸化膜６
は2000Å）のそれぞれの継ぎ目、つまり段部ａ、
ｂにおいては酸化膜の形成が不連続となつている
ため、酸化膜の形成が不十分となつている。それ
を強調して示したのが同図Ｃである。段部ａ、ｂ
においては酸化膜が非常に薄くなつており、電極
１に過電圧が印加された場合、容易に絶縁破壊を
起こして、電極１と基板３とが短絡してしまうこ
とがある。半導体集積回路において、他の部分で
も酸化膜の段差が大きい場合、このようなことが
発生しやすい。
は第１図に示すように形成されている。第１図Ａ
およびＢにおいて電極２に接続されているN+拡
散領域７と電極１との間にコンデンサが形成さ
れ、その間の酸化膜６が誘導体として働く。ここ
において、電極１を他の回路素子へ接続する場
合、又は外部端子へ接続する場合、引き出し用の
配線は必ず、Ｎ型半導体基板３上の酸化膜４や
N+拡散領域７上の酸化膜５，６の上を通る。そ
れぞれ厚さの異なる酸化膜４，５，６（例えば、
酸化膜４は9000Å、酸化膜５は5000Å、酸化膜６
は2000Å）のそれぞれの継ぎ目、つまり段部ａ、
ｂにおいては酸化膜の形成が不連続となつている
ため、酸化膜の形成が不十分となつている。それ
を強調して示したのが同図Ｃである。段部ａ、ｂ
においては酸化膜が非常に薄くなつており、電極
１に過電圧が印加された場合、容易に絶縁破壊を
起こして、電極１と基板３とが短絡してしまうこ
とがある。半導体集積回路において、他の部分で
も酸化膜の段差が大きい場合、このようなことが
発生しやすい。
第１図の構造では、電極１につらなる配線はコ
ンデンサ用酸化膜６〜N+拡散領域上酸化膜５〜
基板３上（フイールド）酸化膜４の上と通らなけ
れば他の部分へ接続できず、その場合上記のよう
に各継ぎ目で破壊しやすいという不都合な点があ
る。
ンデンサ用酸化膜６〜N+拡散領域上酸化膜５〜
基板３上（フイールド）酸化膜４の上と通らなけ
れば他の部分へ接続できず、その場合上記のよう
に各継ぎ目で破壊しやすいという不都合な点があ
る。
本発明の目的は半導体基板表面の酸化膜の厚さ
の段部での絶縁耐圧が改良された半導体装置を提
供することにある。
の段部での絶縁耐圧が改良された半導体装置を提
供することにある。
本発明によれば、半導体基板と、半導体基板上
に形成された薄い絶縁膜と厚い絶縁膜と、薄い絶
縁膜上に形成された第１の金属層と、厚い絶縁膜
上に形成された第２の金属層とを含み、第１の金
属層は半導体基板内に半導体基板とはPN接合で
分離して形成された配線領域を介して第２の金属
層に接続されている半導体装置を得る。
に形成された薄い絶縁膜と厚い絶縁膜と、薄い絶
縁膜上に形成された第１の金属層と、厚い絶縁膜
上に形成された第２の金属層とを含み、第１の金
属層は半導体基板内に半導体基板とはPN接合で
分離して形成された配線領域を介して第２の金属
層に接続されている半導体装置を得る。
次に図面を参照して本発明をより詳細に説明す
る。
る。
第２図に本発明の一実施例によるコンデンサの
構造を示す。第２図Ａ，Ｂにおいてコンデンサは
Ｎ型基板１７に形成されたN+領域１５を一方の
電極とし、酸化膜１９に開けられた開孔を通して
電極１３には接続されフイールド酸化膜１０上に
取り出されている。他方の電極１２は薄い絶縁膜
１８上に形成され、N+拡散領域１４を通つて配
線層１１に引き出されている。N+拡散領域１４
は、Ｐ型拡散領域１６によつて基板１７から分離
されている。したがつて電極１２から配線層１１
への配線はトンネル状となつて、酸化膜の下を通
ることにより酸化膜の段部を避けることができ
る。又、コンデンサ用絶縁膜１８上の電極１２も
コンデンサ用絶縁膜１８の上のみに、形成され
る。
構造を示す。第２図Ａ，Ｂにおいてコンデンサは
Ｎ型基板１７に形成されたN+領域１５を一方の
電極とし、酸化膜１９に開けられた開孔を通して
電極１３には接続されフイールド酸化膜１０上に
取り出されている。他方の電極１２は薄い絶縁膜
１８上に形成され、N+拡散領域１４を通つて配
線層１１に引き出されている。N+拡散領域１４
は、Ｐ型拡散領域１６によつて基板１７から分離
されている。したがつて電極１２から配線層１１
への配線はトンネル状となつて、酸化膜の下を通
ることにより酸化膜の段部を避けることができ
る。又、コンデンサ用絶縁膜１８上の電極１２も
コンデンサ用絶縁膜１８の上のみに、形成され
る。
その上、製法的にも、トンネル用のN+領域１
４はコンデンサの一方の電極であるN+領域１５
と同時に作り、Ｐ型領域１６はNPN型トランジ
スタのベースを形成する時などに同時に作れば、
工程の追加はなく従来通りの工程で形成できると
いう利点がある。
４はコンデンサの一方の電極であるN+領域１５
と同時に作り、Ｐ型領域１６はNPN型トランジ
スタのベースを形成する時などに同時に作れば、
工程の追加はなく従来通りの工程で形成できると
いう利点がある。
以下、第３図を用いて形成方法を示す。まずＡ
図のように、基板１７と酸化膜１０があり、この
酸化膜１０の一部を除去してＢ図のようにＰ型領
域１６を形成する。その次にＣ図のように再度、
酸化膜１０′で覆い、Ｄ図のように一部、除去し
てその部分にN+拡散領域１４，１５を形成する。
１４はトンネル用、１５はコンデンサの一方の極
となる。次に、Ｅ図のように、そのN+領域１４，
１５上も酸化膜１９，１９′で覆う。次にコンデ
ンサ用絶縁膜を形成するためにその部分の厚い酸
化膜を除去する。この際、Ｆ図のように、コンデ
ンサの一方の極となるN+領域１４の一部に亘つ
て除去する。その後、Ｇ図に示すように、コンデ
ンサ用の薄い絶縁膜１８を例えば気相成長法で形
成させる。そして、Ｈ図に示すように、コンデン
サ用電極１２、その引出用配線１１、もう一方の
電極１３を形成し、それぞれ必要な、領域とコン
タクトをとる。以上のようにしてコンデンサが形
成され、外部への引出も行なわれる。
図のように、基板１７と酸化膜１０があり、この
酸化膜１０の一部を除去してＢ図のようにＰ型領
域１６を形成する。その次にＣ図のように再度、
酸化膜１０′で覆い、Ｄ図のように一部、除去し
てその部分にN+拡散領域１４，１５を形成する。
１４はトンネル用、１５はコンデンサの一方の極
となる。次に、Ｅ図のように、そのN+領域１４，
１５上も酸化膜１９，１９′で覆う。次にコンデ
ンサ用絶縁膜を形成するためにその部分の厚い酸
化膜を除去する。この際、Ｆ図のように、コンデ
ンサの一方の極となるN+領域１４の一部に亘つ
て除去する。その後、Ｇ図に示すように、コンデ
ンサ用の薄い絶縁膜１８を例えば気相成長法で形
成させる。そして、Ｈ図に示すように、コンデン
サ用電極１２、その引出用配線１１、もう一方の
電極１３を形成し、それぞれ必要な、領域とコン
タクトをとる。以上のようにしてコンデンサが形
成され、外部への引出も行なわれる。
第１図は従来行なわれているコンデンサの構造
で、Ｂは平面図、ＡはＢにおけるＸ―Ｙ間の断面
図、Ｃは酸化膜の段の部分を強調した断面図であ
る。第２図は本発明の一実施例によるコンデンサ
の構造図で、Ｂは平面図、ＡはＢのＸ―Ｙ間の断
面図である。第３図は本発明の一実施例によるコ
ンデンサの形成法を工程順に示す断面図である。 １，２……コンデンサ電極及びその引出用配
線、３……基板（Ｎ型領域）、４……基板上（フ
イールド）酸化膜、５……７に示されるN+拡散
領域上の酸化膜、６……コンデンサ用酸化膜、７
……コンデンサの一方の極となるN+拡散領域、
ａ，ｂ……酸化膜の段差部、１１……コンデンサ
電極引出用（他の素子と接続するため）配線、１
２……コンデンサの一方の電極、１３……コンデ
ンサの一方の電極の引出用配線、１４……N+拡
散領域で形成されたトンネル用抵抗、１５……コ
ンデンサの一方の電極となるN+拡散領域、１６
……トンネル抵抗１４を基板より電気的に分離す
るためのＰ型領域、１７……基板（Ｎ型領域）、
１８……コンデンサ用絶縁膜、１９……N+拡散
領域１５の上で残つた酸化膜、１０……基板上
（フイールド）酸化膜、２１……トンネル抵抗１
４の上に残つた酸化膜、２２……Ｐ型領域１６の
上に残つた酸化膜、２３，２４，２５……電極、
配線用金属と各拡散層とのコンタクト。
で、Ｂは平面図、ＡはＢにおけるＸ―Ｙ間の断面
図、Ｃは酸化膜の段の部分を強調した断面図であ
る。第２図は本発明の一実施例によるコンデンサ
の構造図で、Ｂは平面図、ＡはＢのＸ―Ｙ間の断
面図である。第３図は本発明の一実施例によるコ
ンデンサの形成法を工程順に示す断面図である。 １，２……コンデンサ電極及びその引出用配
線、３……基板（Ｎ型領域）、４……基板上（フ
イールド）酸化膜、５……７に示されるN+拡散
領域上の酸化膜、６……コンデンサ用酸化膜、７
……コンデンサの一方の極となるN+拡散領域、
ａ，ｂ……酸化膜の段差部、１１……コンデンサ
電極引出用（他の素子と接続するため）配線、１
２……コンデンサの一方の電極、１３……コンデ
ンサの一方の電極の引出用配線、１４……N+拡
散領域で形成されたトンネル用抵抗、１５……コ
ンデンサの一方の電極となるN+拡散領域、１６
……トンネル抵抗１４を基板より電気的に分離す
るためのＰ型領域、１７……基板（Ｎ型領域）、
１８……コンデンサ用絶縁膜、１９……N+拡散
領域１５の上で残つた酸化膜、１０……基板上
（フイールド）酸化膜、２１……トンネル抵抗１
４の上に残つた酸化膜、２２……Ｐ型領域１６の
上に残つた酸化膜、２３，２４，２５……電極、
配線用金属と各拡散層とのコンタクト。
Claims (1)
- １ 半導体基体と、該半導体基体上に形成された
薄い絶縁膜および厚い絶縁膜と、前記薄い絶縁膜
上に形成された第１の導体層と、前記厚い絶縁膜
上に形成された第２の導体層とを含む半導体装置
において、前記第１の導体層を前記第２の導体層
に接続するための配線領域を前記半導体基体内に
他からPN接合で分離して形成し、前記第１の導
体層は前記薄い絶縁膜に設けられたコンタクト穴
を介して前記配線領域に接続され、前記第２の導
体層は前記厚い絶縁膜に設けられたコンタクト穴
を介して前記配線領域に接続されていることを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6296480A JPS56158466A (en) | 1980-05-13 | 1980-05-13 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6296480A JPS56158466A (en) | 1980-05-13 | 1980-05-13 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56158466A JPS56158466A (en) | 1981-12-07 |
| JPH0122989B2 true JPH0122989B2 (ja) | 1989-04-28 |
Family
ID=13215516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6296480A Granted JPS56158466A (en) | 1980-05-13 | 1980-05-13 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56158466A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5965461A (ja) * | 1982-10-06 | 1984-04-13 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP2510626B2 (ja) * | 1987-10-09 | 1996-06-26 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路装置及び半導体記憶装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5241150A (en) * | 1975-09-29 | 1977-03-30 | Nippon Steel Corp | Method to adjust slab width of plate |
-
1980
- 1980-05-13 JP JP6296480A patent/JPS56158466A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5241150A (en) * | 1975-09-29 | 1977-03-30 | Nippon Steel Corp | Method to adjust slab width of plate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56158466A (en) | 1981-12-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4267633A (en) | Method to make an integrated circuit with severable conductive strip | |
| KR900008665A (ko) | 고밀도 반도체 구조물 및 그의 제작방법 | |
| JPH0122989B2 (ja) | ||
| US4360823A (en) | Semiconductor device having an improved multilayer wiring system | |
| JP2000156408A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS5890755A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61201456A (ja) | 半導体集積装置及びその製法 | |
| JPS59208750A (ja) | 半導体装置の配線構造 | |
| JPH0680733B2 (ja) | 半導体装置の配線接続部 | |
| JP2680869B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3372109B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS58197882A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS627703B2 (ja) | ||
| JPH0566026B2 (ja) | ||
| JP3497608B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS59189652A (ja) | 半導体集積装置 | |
| JPS6024039A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0126533B2 (ja) | ||
| JPS6136949A (ja) | 多層配線方法 | |
| JPS62262458A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS59198768A (ja) | ツエナ−ダイオ−ド | |
| JPH02122561A (ja) | キャパシタの製造方法 | |
| JPS60214569A (ja) | Ｍｏｓ型半導体装置 | |
| JPH08125132A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61279151A (ja) | 半導体装置の配線構造 |